Mfano wa Ujifunza wa Transistor

Maendeleo ya Transistor

Transistor ni kifaa cha mzunguko wa semikonduktori kutumika kwa kuongeza au kubadilisha ishara za umeme na nguvu ya umeme.

Mbinu ya Diffused

Mbinu hii hutengeneza transistor zinazoplanar kwenye wafer mzuri. Wafer wa aina N unahomwa katika tanuri na viwango vya aina P, ikisababisha uundaji wa eneo la aina P (base) kwenye wafer. Maski yenye vituonyo inatumika, na wafer unahomwa tena na viwango vya aina N. Hii hutengeneza eneo la aina N (emitter) juu ya kiwango cha aina P.

Kwa mwisho, lango la silisi dioxide lenye ukuta ndogo litatengenezwa juu ya paa yote na photo stamped kutengeneza majengo ya aluminium kwa leads ya base na emitter.

Mbinu ya Point Contact

Mbinu hii hutumia wafer wa semikonduktori wa aina N, uliyosuliwa kwenye msingi wa chuma. Kamba ya tungsten (Cat’s whisker wire) inapigana nayo, na jukwaa kijani kiliochunguzwa kwenye vidole au ceramic kwa nguvu. Kasi ya mkubwa inamtemeka kwa muda mfupi kufanya PN junction kwenye point ya muundo, kufanya transistor hizi zifuataze kwa magereza makubwa kutokana na capacitance chenye ukuta ndogo.

Mbinu ya Fused au Alloy

Katika mbinu hii, vipimo viwili vidogo vya indium au aluminium (acceptor) vinaweza kwekwekwa upande wa wafer wa aina N. Kisha jukwaa kijani kiliochunguzwa kwenye homa iliyokuwa chini ya melting point ya material ya wafer na juu ya acceptor.

Sehemu ndogo ya indium inayofungua na kuingia kwenye wafer na hivyo material ya aina P linatumika kwenye viwanyo vya wafer. Transistor PNP hutengenezwa wakati anavyofungua (figure 4).

Mbinu ya Rate-Grown au Grown

Mbinu hii hutumia teknolojia ya Czochralski kuchukua kristalo moja kutoka kwenye melt ya Ge au Si na viwango vya aina P. Seed ya semikonduktori inachukua katika semikonduktori yaliyolimwa katika crucible ya graphite. Rodi inayohifadhi seed inaelekea polepole na kuchukua, kwanza kuongeza viwango vya aina P, kisha aina N, ili kugrow PN junction.

Mbinu ya Epitaxial

Mbinu hii hutumia maneno ya Greek yanayomaanisha “on” na “arrangement.” Lango la silisi Semiconductor la aina N au P linategenezwa juu ya substrate yenye ukuta kubwa ya semiconductor sawa. Lango lililotengenezwa linaweza kuwa base, emitter, au collector, na junction iliyotengenezwa ina resistance ndogo.