Tekniko sa Pagbuhat og Transistor

Pahayag sa Transistor

Ang transistor usa ka semiconductor device nga gamiton aron mapadako o mapalihok ang mga electronic signals ug electrical power.

Diffused Technique

Kini nga paraan naglakip og pagbuhat og planar transistors sa usa ka kasagaran flat wafer. Ang N-type wafer gigutom sa usa ka furnace uban P-type gas impurities, nagresulta sa pagform sa P-type region (base) sa wafer. Gamiton ang mask nga may holes, ug gigutom usab ang wafer uban N-type impurities. Kini nagresulta sa pagbuhat sa N-type region (emitter) sa itaas sa P-type layer.

Sa katapusan, gibuo ang usa ka thin layer of silicon dioxide sa tanang surface ug photo stamped aron makabuo og aluminium contacts para sa leads sa base ug emitter.

Point Contact Technique

Kini nga teknik gamiton ang N-type semiconductor wafer, gisolder sa metallic base. Gigipit ang tungsten spring (Cat’s whisker wire) nito, ug gitampo ang tanang setup sa glass o ceramic aron maayo. Gipasa ang usa ka dako nga current ngadto sa katapusan aron makabuo og PN junction sa contact point, gihatagan kini nga mga transistors sa ilang low capacitance nga useful sa high frequencies.

Fused or Alloy Technique

Sa kini nga paraan, duha ka tiny dots of indium o aluminium (acceptor) giposisyon sa opposite side sa n-type wafer. Pagkatapos, gigitom ang tanang sistema hangtud sa temperatura nga mas baba sa melting point sa wafer material ug mas taas sa acceptor.

Usa ka tiny portion of indium magdidissolve ug mogpasok sa wafer, resulta mao ang pagbuhat sa p-type material sa duha ka sides sa wafer. Ang PNP transistor mahimo kung mibuto (figure 4).

Rate-Grown or Grown Technique

Kini nga paraan gamiton ang Czochralski technique aron madraw ang single crystal gikan sa melt of Ge o Si uban p-type impurities. Ang semiconductor seed gigipit sa molten semiconductor sa graphite crucible. Ang rod nga nagkuha sa seed langgamin nga girotate ug gikawat, una nagpadugang og P-type impurities, pagkatapos N-type, aron madago ang PN junction.

Epitaxial Technique

Kini nga paraan gikan sa Greek words nga nangulob sa “on” ug “arrangement.” Usa ka thin n-type Semiconductor o p-type semiconductor layer gipabuyo sa heavily doped substrate sa same semiconductor. Ang nabuong layer mahimong base, emitter, o collector, ug ang junction nga nabuhat adunay low resistance.