Technicae Fabricationis Transistorum
Definitio Transistoris
Transistor est dispositivum semiconductoris ad amplificandum aut commutandum signa electronica et potentiam electricam.
Technica Diffusiva
Hoc methodo planares transistores in lamina paene plana creantur. Lamina N-typus in fornace cum impuriis P-typus gas calefacta fit, regionem P-typus (basim) formans in lamina. Maskulum cum foraminibus usitatur, et lamina iterum calefacta fit cum impuriis N-typus. Hoc creat regionem N-typus (emittentem) super stratum P-typus.
Postremo, stratum tenue diioxidum silicis tota superficie developitur et photostampatur ad contactus aluminii pro ducibus basidis et emittente creandi.
Technica Contactus Puncti
Hoc methodo lamina semiconductoris N-typus usatur, solderata ad basim metallicam. Viret tungstenum (filum cati) pressum est contra eam, et tota dispositura in vitro vel ceramico includitur pro firmitate. Magnus currentus brevi tempore mittitur ad iunctionem PN in puncto contactus formandam, faciens hos transistores utiles pro frequentiis altis ob capacitatem parvam suam.
Technica Fusa sive Alloymatica
In hoc methodo, duo puncta parva indii vel aluminii (acceptor) positionantur in parte opposita laminae N-typus. Tunc tota systema calefacta fit ad temperaturam quae minor est quam punctus fusi materialis laminarum et maior quam acceptoris.
Parva portio indii dissolvitur et intrat in laminam, ita creans materiale P-typus in duabus partibus laminarum. Transistor PNP creatus est quando refrigeratur (figura 4).
Technica Rate-Grown sive Grown
Hoc methodo usatur technica Czochralski ad singularem crystallum ex fuso Ge vel Si cum impuriis P-typus trahendum. Semen semiconductoris in crucibulo graphitico demergitur. Virga tenens semen lente rotatur et retrahitur, primum addendo impuriis P-typus, deinde N-typus, ad iunctionem PN crescendam.
Technica Epitaxialis
Hoc methodo nomen derivat a verbis Graecis significatis “super” et “dispositio.” Stratum tenue semiconductoris N-typus vel P-typus crescit super substratum densissime dopatum eiusdem semiconductoris. Stratum formatum potest esse basis, emittens, vel collector, et iunctio creata habet resistentiam parvam.
