ট্রানজিস্টর তৈরির পদ্ধতি
ট্রানজিস্টরের সংজ্ঞা
ট্রানজিস্টর হল একটি অর্ধপরিবাহী যন্ত্র যা ইলেকট্রনিক সিগন্যাল এবং বৈদ্যুতিক শক্তি আম্প্লিফাই বা সুইচ করতে ব্যবহৃত হয়।
ডিফিউস্ড পদ্ধতি
এই পদ্ধতিতে একটি প্রায় সমতল ওয়াফারে প্ল্যানার ট্রানজিস্টর তৈরি করা হয়। একটি N-ধরনের ওয়াফারকে P-ধরনের গ্যাস দূষণ সহ একটি ফার্নেসে উত্তপ্ত করা হয়, যার ফলে ওয়াফারে P-ধরনের অঞ্চল (বেস) তৈরি হয়। একটি ছিদ্রযুক্ত মাস্ক ব্যবহার করা হয় এবং ওয়াফারকে আবার N-ধরনের দূষণ সহ উত্তপ্ত করা হয়। এই প্রক্রিয়ায় P-ধরনের স্তরের উপর N-ধরনের অঞ্চল (ইমিটার) তৈরি হয়।
শেষে, সমগ্র পৃষ্ঠে একটি পাতলা সিলিকন ডাইঅক্সাইডের স্তর তৈরি করা হয় এবং ফোটো স্ট্যাম্প করা হয় যাতে বেস এবং ইমিটারের লিডের জন্য আলুমিনিয়াম কন্টাক্ট তৈরি হয়।
পয়েন্ট কন্টাক্ট পদ্ধতি
এই পদ্ধতিতে একটি N-ধরনের অর্ধপরিবাহী ওয়াফার একটি ধাতব বেসে সোল্ডার করা হয়। একটি টাঙ্স্টেন স্প্রিং (ক্যাট্স উইস্কার তার) এর সাথে চাপ দেওয়া হয়, এবং সমগ্র সেটআপটি শক্তির জন্য গ্লাস বা সিরামিকে আবৃত করা হয়। একটি বড় প্রবাহ দ্রুত পাস করা হয় যাতে কন্টাক্ট পয়েন্টে একটি PN জানশন তৈরি হয়, যা এই ট্রানজিস্টরগুলিকে তাদের কম ক্ষমতার কারণে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে ব্যবহারের জন্য উপযোগী করে।
ফিউজড বা অ্যালয় পদ্ধতি
এই পদ্ধতিতে, একটি N-ধরনের ওয়াফারের বিপরীত দিকে দুটি ছোট ইন্ডিয়াম বা অ্যালুমিনিয়াম (অ্যাকেপ্টর) ডট স্থাপন করা হয়। তারপর সমগ্র সিস্টেমকে ওয়াফার মেটেরিয়ালের গলনাঙ্কের চেয়ে কম এবং অ্যাকেপ্টরের গলনাঙ্কের চেয়ে বেশি তাপমাত্রায় উত্তপ্ত করা হয়।
একটি ছোট অংশ ইন্ডিয়াম গলে ওয়াফারে প্রবেশ করে এবং ওয়াফারের দুই দিকে P-ধরনের মেটেরিয়াল তৈরি হয়। যখন এটি ঠাণ্ডা হয় (চিত্র 4), তখন PNP ট্রানজিস্টর তৈরি হয়।
রেট-গ্রোন বা গ্রোন পদ্ধতি
এই পদ্ধতিতে Czochralski পদ্ধতি ব্যবহার করে P-ধরনের দূষণযুক্ত Ge বা Si এর গলন থেকে একটি একক ক্রিস্টাল টানা হয়। একটি অর্ধপরিবাহী বীজ গ্রাফাইট ক্রুসিবলে গলিত অর্ধপরিবাহীতে ডুবানো হয়। বীজ ধারণকারী রডটি ধীরে ঘূর্ণিত এবং টানা হয়, প্রথমে P-ধরনের দূষণ যোগ করা হয়, তারপর N-ধরনের, যাতে একটি PN জানশন গ্রোথ করা যায়।
এপিট্যাক্সিয়াল পদ্ধতি
এই পদ্ধতির নাম গ্রিক শব্দ "on" এবং "arrangement" থেকে উদ্ভূত হয়েছে। একটি প্রায় একই অর্ধপরিবাহীর ভারীভাবে দূষিত সাবস্ট্রেটের উপর একটি পাতলা n-ধরনের অর্ধপরিবাহী বা p-ধরনের অর্ধপরিবাহী স্তর গ্রোথ করা হয়। গঠিত স্তর বেস, ইমিটার বা কলেক্টর হতে পারে, এবং তৈরি জানশনটি কম রেসিস্টেন্স হয়।
প্রস্তাবিত
