Técnicas de Fabricación de Transistores
Definición de Transistor
Un transistor es un dispositivo semiconductor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas y potencia eléctrica.
Técnica de Difusión
Este método crea transistores planos en una lámina casi plana. Una lámina de tipo N se calienta en un horno con impurezas gaseosas de tipo P, lo que hace que la región de tipo P (base) se forme en la lámina. Se utiliza una máscara con agujeros, y la lámina se vuelve a calentar con impurezas de tipo N. Esto crea la región de tipo N (emisor) sobre la capa de tipo P.
Finalmente, se desarrolla una capa delgada de dióxido de silicio sobre toda la superficie y se estampa fotográficamente para crear contactos de aluminio para los terminales de base y emisor.
Técnica de Contacto Puntual
Esta técnica utiliza una lámina de semiconductor de tipo N, soldada a una base metálica. Un resorte de tungsteno (alambre de bigote de gato) se presiona contra ella, y todo el conjunto se encierra en vidrio o cerámica para mayor resistencia. Se pasa una corriente grande brevemente para crear un empalme PN en el punto de contacto, lo que hace que estos transistores sean útiles para frecuencias altas debido a su baja capacitancia.
Técnica de Fusión o Aleación
En este método, se colocan dos puntos diminutos de indio o aluminio (aceptor) en el lado opuesto de la lámina de tipo N. Luego, todo el sistema se calienta a una temperatura que es menor que el punto de fusión del material de la lámina y mayor que el del aceptor.
Una pequeña porción de indio se disuelve y entra en la lámina, creando así el material de tipo P en ambos lados de la lámina. El transistor PNP se crea cuando se enfría (figura 4).
Técnica de Crecimiento o Crecida
Este método utiliza la técnica de Czochralski para extraer un solo cristal de un fundido de Ge o Si con impurezas de tipo P. Una semilla de semiconductor se sumerge en el semiconductor fundido en un crisol de grafito. La varilla que sostiene la semilla se rota lentamente y se retira, primero agregando impurezas de tipo P, luego de tipo N, para crecer un empalme PN.
Técnica Epitaxial
Este método deriva su nombre de las palabras griegas que significan "sobre" y "ordenamiento". Se crece una capa delgada de semiconductor de tipo N o tipo P en un sustrato fuertemente dopado del mismo semiconductor. La capa formada puede ser la base, el emisor o el colector, y el empalme creado tiene baja resistencia.
