Tehnike proizvodnje tranzistora

Definicija tranzistora

Tranzistor je poluprovodnički uređaj korišćen za pojačavanje ili upravljanje električnim signalima i električnom snagom.

Difuzna tehnika

Ova metoda stvara planarne tranzistore na gotovo ravnoj plitvi. N-tip plitva se zagrijava u pećnici sa P-tip gasnim impuritetima, što dovodi do formiranja P-tip regije (baze) na plitvi. Koristi se maska sa otvorima, a zatim se plitva ponovo zagrijava sa N-tip impuritetima. Ovo stvara N-tip regiju (emiter) na vrhu P-tip sloja.

Na kraju, nad celokupnu površinu se razvija tanki sloj dioksida silicijuma i fotopecat se koristi za stvaranje aluminijumskih kontakata za vode baze i emitera.

Tehnika tačkastog kontakta

Ova tehnika koristi N-tip poluprovodničku plitvu, spojenu sa metalnom bazom. Tungstenska opruga (mačja brada) se pritisne na nju, a ceo postroj je obložen staklom ili keramikom za jačinu. Kratak veliki struja se prođe kako bi se stvorio PN prekid na tački kontakta, čime se ovi tranzistori isplativaju za visoke frekvencije zbog njihove niske kapacitivnosti.

Zagrejana ili legirana tehnika

U ovoj metodi, dve mali tačke indija ili aluminijuma (akceptor) su pozicionisane na suprotne strane N-tip plitve. Zatim se ceo sistem zagrijava do temperature koja je niža od točke taljenja materijala plitve, ali veća od one akceptora.

Mali deo indija se rastvori i unutraće u plitvu, stvarajući P-tip materijal na dvema stranama plitve. Kada se ohladi, stvara se PNP tranzistor (slika 4).

Rastna ili Czochralski tehnika

Ova metoda koristi Czochralski tehniku za crtanje jednog kristala iz toplog Ge ili Si sa P-tip impuritetima. Poluprovodničko sjeme se uroni u topli poluprovodnik u grafitnoj tiglu. Štap koji drži sjeme se sporo okreće i povlači, najpre dodavajući P-tip impuritete, zatim N-tip, kako bi se stvorio PN prekid.

Epitaksijalna tehnika

Ova metoda dobija svoje ime od grčkih reči koje znače "na" i "raspored." Tanki N-tip poluprovodnički sloj ili P-tip poluprovodnički sloj se razvija na teško dotiranom substratu istog poluprovodnika. Formirani sloj može biti baza, emiter ili kolektor, a stvoreni prekid ima niski otpor.