Τεχνικές Κατασκευής Τρανζίστορων

Ορισμός Τρανζίστορ

Το τρανζίστορ είναι ένα συστηματικό στοιχείο που χρησιμοποιείται για την ενίσχυση ή την αλλαγή ηλεκτρονικών σημάτων και ηλεκτρικής ενέργειας.

Τεχνική Διάχυσης

Αυτή η μέθοδος δημιουργεί επιπλέον τρανζίστορ σε ένα σχεδόν επίπεδο wafer. Ένα N-τύπου wafer θερμαίνεται σε φούρνο με P-τύπου αερίους ενδοστοιχείες, προκαλώντας τη δημιουργία της P-τύπου περιοχής (βάση) στο wafer. Χρησιμοποιείται ένα μάσκα με τρύπες, και το wafer θερμαίνεται ξανά με N-τύπου ενδοστοιχείες. Αυτό δημιουργεί την N-τύπου περιοχή (εξαγωγέας) πάνω στην P-τύπου στρώση.

Τελικά, ένας λεπτός στρώματος διοξειδίου του ημισιαγώγου αναπτύσσεται σε όλη την επιφάνεια και φωτογραφικά σφραγίζεται για να δημιουργήσει επαφές αλουμινίου για τα κατανοδικά της βάσης και του εξαγωγέα.

Τεχνική Σημειακής Επαφής

Αυτή η τεχνική χρησιμοποιεί ένα N-τύπου ημισιαγωγικό wafer, συνδεδεμένο σε μεταλλική βάση. Μια ελαστική συριγγίδα από τουνγκστεν (σύριγγα του γατού) πιέζεται εναντίον του, και ολόκληρη η διάταξη είναι εγκλωβισμένη σε γυάλινο ή κεραμικό περίβλημα για αντοχή. Περνάει μια μεγάλη ροή για μικρό διάστημα για να δημιουργήσει ένα PN σύνδεσμο στο σημείο επαφής, κάνοντας αυτά τα τρανζίστορ χρήσιμα για υψηλές συχνότητες λόγω της χαμηλής τους ικανότητας.

Τεχνική Συντήρησης ή Σύνθεσης

Σε αυτή τη μέθοδο, δύο μικρά κουκκίδια ινδίου ή αλουμινίου (αποδέκτης) τοποθετούνται στην αντίθετη πλευρά του N-τύπου wafer. Στη συνέχεια, ολόκληρο το σύστημα θερμαίνεται σε θερμοκρασία που είναι μικρότερη από την θερμοκρασία λιώσης του υλικού wafer και μεγαλύτερη από αυτή του αποδέκτη.

Μια μικρή ποσότητα ινδίου διαλύεται και εισέρχεται στο wafer, δημιουργώντας έτσι το P-τύπου υλικό στις δύο πλευρές του wafer. Το PNP τρανζίστορ δημιουργείται όταν καταψύχεται (εικόνα 4).

Τεχνική Ανάπτυξης ή Βλαστήσεως

Αυτή η μέθοδος χρησιμοποιεί την τεχνική Czochralski για να αναβλαστήσει ένα μονοκρύσταλλο από ένα χυτό Ge ή Si με P-τύπου ενδοστοιχείες. Ένα ημισιαγωγικό σπόρο βυθίζεται στο χυτό ημισιαγωγικό σε έναν γραφιτικό κρατήρα. Ο κατόχος του σπόρου περιστρέφεται αργά και αποσυρθεί, πρώτα προσθέτοντας P-τύπου ενδοστοιχείες, στη συνέχεια N-τύπου, για να αναπτύξει ένα PN σύνδεσμο.

Επιταξιακή Τεχνική

Αυτή η μέθοδος παίρνει το όνομά της από ελληνικά λέξεις που σημαίνουν "πάνω" και "διάταξη". Ένα λεπτό στρώμα N-τύπου ημισιαγωγικού ή P-τύπου ημισιαγωγικού αναπτύσσεται σε έναν βαριά δομημένο υποστηρικτή του ίδιου ημισιαγωγικού. Το σχηματισμένο στρώμα μπορεί να είναι η βάση, ο εξαγωγέας ή ο συλλέκτης, και ο σύνδεσμος που δημιουργείται έχει χαμηλή αντίσταση.