Teknik Manufaktur Transistor

Definisi Transistor

Transistor adalah perangkat semikonduktor yang digunakan untuk memperkuat atau beralih sinyal elektronik dan daya listrik.

Teknik Difusi

Metode ini menciptakan transistor planar pada wafer hampir datar. Wafer tipe-N dipanaskan dalam tungku dengan gas impuritas tipe-P, menyebabkan wilayah tipe-P (basis) terbentuk pada wafer. Masker dengan lubang digunakan, dan wafer dipanaskan lagi dengan impuritas tipe-N. Ini menciptakan wilayah tipe-N (emitter) di atas lapisan tipe-P.

Akhirnya, lapisan tipis dioksida silikon dikembangkan di seluruh permukaan dan dicetak foto untuk membuat kontak aluminium untuk kaki basis dan emitter.

Teknik Kontak Titik

Teknik ini menggunakan wafer semikonduktor tipe-N, yang disolder ke dasar logam. Kawat pegas tungsten (Cat’s whisker wire) ditekan melawan wafer, dan seluruh setup ditutupi dengan kaca atau keramik untuk kekuatan. Arus besar dilewatkan secara singkat untuk menciptakan junsi PN di titik kontak, membuat transistor ini berguna untuk frekuensi tinggi karena kapasitansi rendahnya.

Teknik Lembut atau Paduan

Dalam metode ini, dua titik kecil indium atau aluminium (penerima) diletakkan di sisi berlawanan wafer tipe-N. Kemudian seluruh sistem dipanaskan hingga suhu yang kurang dari titik leleh bahan wafer dan lebih dari titik leleh penerima.

Sebagian kecil indium meleleh dan masuk ke dalam wafer, sehingga bahan tipe-P dibuat di kedua sisi wafer. Transistor PNP terbentuk ketika didinginkan (gambar 4).

Teknik Tumbuh atau Pertumbuhan

Metode ini menggunakan teknik Czochralski untuk menarik kristal tunggal dari cairan Ge atau Si dengan impuritas tipe-P. Benih semikonduktor dimasukkan ke dalam semikonduktor cair dalam crucible grafit. Batang yang memegang benih tersebut diputar perlahan dan ditarik, pertama menambahkan impuritas tipe-P, kemudian tipe-N, untuk membentuk junsi PN.

Teknik Epitaksial

Metode ini mendapatkan namanya dari kata-kata Yunani yang berarti "di atas" dan "susunan." Lapisan tipis semikonduktor tipe-N atau tipe-P tumbuh pada substrat yang sangat diberi dop dengan bahan semikonduktor yang sama. Lapisan yang terbentuk dapat menjadi basis, emitter, atau kolektor, dan junsi yang tercipta memiliki resistansi rendah.