Tekniko ng Paggawa ng Transistor

Pangangalanan ng Transistor

Ang transistor ay isang semiconductor device na ginagamit upang palakihin o i-switch ang mga electronic signals at electrical power.

Diffused Technique

Ang paraan na ito ay lumilikha ng planar transistors sa halos lalat na wafer. Ang N-type wafer ay inihahain sa furnace kasama ang P-type gas impurities, nagiging sanhi ng pagbuo ng P-type region (base) sa wafer. Ginagamit ang mask na may butas, at pinanununan muli ang wafer kasama ang N-type impurities. Ito ay lumilikha ng N-type region (emitter) sa itaas ng P-type layer.

Sa huli, isang maliit na layer ng silicon dioxide ang binubuo sa buong surface at photo stamped upang lumikha ng aluminium contacts para sa mga leads ng base at emitter.

Point Contact Technique

Ang teknik na ito ay gumagamit ng N-type semiconductor wafer, na sinalda sa isang metal na base. Isang tungsten spring (Cat’s whisker wire) ay ipinipindot dito, at ang buong setup ay nakasara sa glass o ceramic para sa lakas. Isang malaking current ang ipinapadaan nang maikli upang lumikha ng PN junction sa contact point, nagbibigay ng kagamitan na ito ng transistor para sa mataas na frequencies dahil sa kanilang mababang capacitance.

Fused or Alloy Technique

Sa pamamagitan ng paraang ito, dalawang maliit na dots ng indium o aluminium (acceptor) ang inilalagay sa kabilang bahagi ng N-type wafer. Pagkatapos, pinanununan ang buong sistema hanggang sa temperatura na mas mababa kaysa melting point ng materyales ng wafer at mas mataas kaysa sa acceptor.

Isang maliit na bahagi ng indium ang nalulunod at pumapasok sa wafer at gayon din ang pagbuo ng p-type material sa dalawang bahagi ng wafer. Ang PNP transistor ay nililikha kapag ito ay nai-cool (figure 4).

Rate-Grown or Grown Technique

Ang paraang ito ay gumagamit ng Czochralski technique upang lumikha ng single crystal mula sa melt ng Ge o Si na may p-type impurities. Isang semiconductor seed ay inilalagay sa molten semiconductor sa graphite crucible. Ang rod na nagbabantay sa seed ay lapid na inirotate at inuwi, una ang pagsingil ng P-type impurities, pagkatapos ang N-type, upang lumago ang PN junction.

Epitaxial Technique

Ang paraang ito ay nagmumula sa Greek words na nangangahulugang “sa” at “pagkakasunud-sunod.” Isang maliit na n-type Semiconductor o p-type semiconductor layer ang lumilikha sa isang heavily doped substrate ng parehong semiconductor. Ang nabuong layer ay maaaring maging base, emitter, o collector, at ang junction na nabuo ay may mababang resistance.