Isang Mababang Ingay na Mataas na Gain na Broadband Transformer-Based na Inverter-Based na Transimpedance Amplifier

Sa papel na ito, ang teknik ng bandwidth (BW) extension na batay sa transformer ay ginagamit upang mapabuti ang BW, noise, at silicon area ng mga inverter-based transimpedance amplifiers (TIAs) kahit na gumagamit sila ng inductive peaking. Ang TIA na batay sa ipinroposong teknik, na isinulat at layout sa 16-nm FinFET process, nagpapakita ng 36% na pagtaas sa BW, 19% na pagbawas sa input-referred noise, at 57% na pagbawas sa silicon area kumpara sa tradisyonal na TIA na may inductive peaking. Sa ipinroposong arkitektura ng TIA, ang paglalagay ng transformer sa forward path ay bahagyang kompensado ang parasitic capacitances ng inverter at pinahihintulot ang limitasyon ng transimpedance ng tradisyonal na TIA. Ang ipinroposong teknik ay din nagbabawas ng input-referred current noise spectrum ng TIA. Ang post-layout kasama ang electromagnetic (EM) simulations at statistical analysis ay ginagamit upang i-verify ang epektibidad ng ipinroposong arkitektura. Ang mga resulta ng simulasyon ay nagpapakita na ang TIA ay nakakamit ng transimpedance gain na 58 dB Ω , isang BW na 17.4 GHz, isang input-referred noise na 17.4 pA/sqrt (Hz), at isang eye-opening na 20 mV sa data-rate na 64 Gbps PAM4 at sa bit-error-rate (BER) na 1E-6. Ang buong chain ng TIA ay inaasahan na kumukonsumo ng 19 mW at umaokupa ng aktibong lugar na 0.023 mm 2 .

Source: IEEE Xplore

Statement: Respetuhin ang orihinal, mga magagandang artikulo na karapat-dapat na i-share, kung may infringement pakiusap ilipat.