In questo articolo, viene impiegata una tecnica di estensione della banda (BW) basata su trasformatori per migliorare la BW, il rumore e l'area di silicio degli amplificatori transimpedenza (TIAs) a base di inverter, anche quando utilizzano un picco induttivo. Un TIA basato sulla tecnica proposta, progettato e disposto in un processo FinFET da 16 nm, dimostra un aumento del 36% della BW, una riduzione del 19% del rumore riferito all'ingresso e una riduzione del 57% dell'area di silicio rispetto al TIA convenzionale con picco induttivo. Nell'architettura TIA proposta, l'inclusione di un trasformatore nel percorso in avanti compensa parzialmente le capacità parassite dell'inverter e rilassa il limite di transimpedenza del TIA convenzionale. La tecnica proposta riduce inoltre lo spettro di rumore di corrente riferito all'ingresso del TIA. Vengono utilizzati post-layout in compagnia di simulazioni elettromagnetiche (EM) e analisi statistiche per verificare l'efficacia dell'architettura proposta. I risultati delle simulazioni mostrano che il TIA raggiunge un guadagno di transimpedenza di 58 dB
Fonte: IEEE Xplore
Dichiarazione: Rispettare l'originale, articoli di qualità meritano la condivisione, in caso di violazione dei diritti contattare per la cancellazione.