In hoc opere, technica extensio latitudinis (BW) basata in transformatore adhibetur ad BW, strepitum, et aream silicis amplificatorum transimpedantium (TIAs) basatorum in inversoribus meliorandam, etiam cum inductivitas culminans utatur. TIA ex proposita technica constructus et in processu FinFET de 16-nm dispositus, ostendit incrementum BW de 36%, reductionem strepiti referentis input de 19%, et reductionem areae silicis de 57% comparatus cum TIA consuetudinario cum inductivitate culminante. In architectura TIA proposita, inclusio transformatoris in via directa capacitantes parasiticos inversoris partialiter compensat et limitem transimpedantem TIA consuetudinarii relaxat. Proposita technica etiam spectrum strepiti currentis referentis input TIA minuit. Post-dispositio cum simulationibus electromagneticis (EM) et analysi statistica ad verificandum effectum architecturae propositae adhibetur. Resultata simulationis ostendunt TIA obtinere gainum transimpedantem de 58 dB
Source: IEEE Xplore
Statement: Respect the original, good articles worth sharing, if there is infringement please contact delete.