Isang Low-Noise High-Gain Broadband Transformer-Based Inverter-Based Transimpedance Amplifier

Sa dapit nga papel, ang teknik sa pag-extend sa bandwidth (BW) batas ngadto sa transformer gisangpot para mapahusay ang BW, bulabug, ug yuta nga area sa mga inverter-based transimpedance amplifiers (TIAs) bisan kon sila gamiton ang inductive peaking. Ang TIA nga gisangpot batasan sa propuesto nga teknika, nga gidesinyo ug gilayout sa 16-nm FinFET proseso, naghulagway og 36% ka increment sa BW, 19% ka pagbawas sa input-referred noise, ug 57% ka pagbawas sa silicon area kumpara sa tradisyonal nga TIA nga may inductive peaking. Sa propuesto nga arkitektura sa TIA, ang pagkuha sa transformer sa forward path kompensa bahin sa parasitic capacitances sa inverter ug relaksar ang transimpedance limit sa tradisyonal nga TIA. Ang propuesto nga teknika usab mobaba sa input-referred current noise spectrum sa TIA. Ang post-layout kasama ang electromagnetic (EM) simulations ug statistical analysis gigamit aron maverify ang epektibidad sa propuesto nga arkitektura. Ang resulta sa simulasyon nagpakita nga ang TIA nakamit og transimpedance gain nga 58 dB Ω , a BW nga 17.4 GHz, an input-referred noise nga 17.4 pA/sqrt (Hz), ug an eye-opening nga 20 mV sa data-rate nga 64 Gbps PAM4 ug sa bit-error-rate (BER) nga 1E-6. Ang tanang chain sa TIA expectado na mogamit og 19 mW ug okupa og aktibo nga area nga 0.023 mm 2 .

Source: IEEE Xplore

Statement: Respetar el original, artículos buenos que merecen ser compartidos, si hay alguna violación de derechos por favor contacte para eliminar.