Penguat Impedans Trans yang Berdasarkan Inverter dan Transformator dengan Rangkaian Lebar Pita Berhala Rendah dan Gain Tinggi

Dalam kertas ini, teknik pengembangan jalur lebar (BW) berdasarkan transformer digunakan untuk meningkatkan BW, noise, dan area silikon penguat impedansi transduksi (TIAs) berbasis inverter walaupun mereka menggunakan peaking induktif. TIA berdasarkan teknik yang diusulkan, dirancang dan diletakkan dalam proses FinFET 16-nm, menunjukkan peningkatan 36% dalam BW, pengurangan 19% dalam noise referensi input, dan pengurangan 57% dalam area silikon dibandingkan dengan TIA konvensional dengan peaking induktif. Dalam arsitektur TIA yang diusulkan, inklusi transformer pada jalur maju mengkompensasi sebagian kapasitansi parasit dari inverter dan merelaksasi batasan impedansi transduksi TIA konvensional. Teknik yang diusulkan juga menurunkan spektrum noise arus referensi input TIA. Pasca tata letak bersama dengan simulasi elektromagnetik (EM) dan analisis statistik digunakan untuk memverifikasi efektivitas arsitektur yang diusulkan. Hasil simulasi menunjukkan bahwa TIA mencapai gain impedansi transduksi 58 dB Ω , BW 17.4 GHz, noise referensi input 17.4 pA/sqrt (Hz), dan pembukaan mata 20 mV pada laju data 64 Gbps PAM4 dan pada tingkat rasio bit kesalahan (BER) 1E-6. Seluruh rangkaian TIA diharapkan mengkonsumsi 19 mW dan menempati area aktif 0.023 mm 2 .

Sumber: IEEE Xplore

Penyataan: Hormati asli, artikel yang baik layak dibagikan, jika ada pelanggaran silakan hubungi untuk dihapus.