Isang Mababang Ingay na Mataas na Gain na Broadband Transformer-Based Inverter-Based Transimpedance Amplifier

Sa pamamagitan ng teknik na batay sa transformer para sa paglalawig ng bandwidth (BW), inilapat ito upang mapabuti ang BW, ingay, at lugar ng silicon ng mga inverter-based transimpedance amplifiers (TIAs) kahit na may inductive peaking. Ang TIA na batay sa inirerekomendang teknik, na isinulat at ilayout sa 16-nm FinFET proseso, nagpapakita ng 36% na tumaas sa BW, 19% na pagbawas sa input-referred noise, at 57% na pagbawas sa lugar ng silicon kumpara sa tradisyonal na TIA na may inductive peaking. Sa inirerekomendang arkitektura ng TIA, ang paglalagay ng transformer sa forward path ay bahagyang kompensasyon sa parasitic capacitances ng inverter at nagpapahusay ng transimpedance limit ng tradisyonal na TIA. Ang inirerekomendang teknik ay nagbabawas din ng input-referred current noise spectrum ng TIA. Ang post-layout kasama ang electromagnetic (EM) simulations at statistical analysis ay ginamit upang patunayan ang epektibidad ng inirerekomendang arkitektura. Ang resulta ng simulasyon ay nagpapakita na ang TIA ay nakakamit ng transimpedance gain na 58 dB Ω , isang BW na 17.4 GHz, isang input-referred noise na 17.4 pA/sqrt (Hz), at isang eye-opening na 20 mV sa data-rate na 64 Gbps PAM4 at sa bit-error-rate (BER) na 1E-6. Inaasahan na ang buong chain ng TIA ay magkokonsumo ng 19 mW at okupado ang aktibong lugar na 0.023 mm 2 .

Source: IEEE Xplore

Statement: Respetuhin ang orihinal, mahalagang artikulo na karapat-dapat na i-share, kung may labag sa copyright paki-contact para burahin.