Artikuluan, transformadore batean oinarritutako bandaren zabaleraren (BW) luzapen teknika erabiltzen da inbertsore oinarritako transimpedantzeko amplifikatzaileen (TIAs) BW, sorotzailea eta siliko espazioa hobetzeko, baita induktiboki puntuatu gabe ere. Aplikatutako teknikan oinarritutako TIA bat, 16-nm FinFET prozesuan diseinatu eta zehaztu denak, inbertsore puntuatu tradizionalarekin alderatuta, BWn %36ko handipena, sarrera espezifikoko sorotzaileen %19eko murrizketa eta siliko espazioko %57eko murrizketa erakusten du. Proposatutako TIA arkitekturan, aurrerako bidean sartutako transformadoreak inbertsorearen kapazitate parasitarioak partzialki konpentsatzen ditu eta TIA tradizionalaren transimpedantzaren muga askatu egiten du. Proposatutako teknika TIAren sarrera espezifikoko korronte-sorotzaile-espektrua jaitsi ere egiten du. Post-layout-a elektromagnetiko (EM) simulazioekin eta estatistiko analisiaren laguntzaz erabili dira proposatutako arkitekturaren efektibotasuna frogatzeko. Simulazio-emaitzetan ikus daiteke TIAk 58 dBko transimpedantzia-aurrera lortzen duela
Iturria: IEEE Xplore
Aierua: Jatorrizkoa kontuan hartuz, ondo idatzitako artikuluak partekatzeko balio dituzte, baldin eta eskubideen urratzea badago kontaktatzarik ezabatzeko.