Amplifikatur Trasimpedanza Bax-Xitwaq Għan-Ambient Brodband Bazat fuq Invertur u Trasformatur

Fl-iskritta, teknika taż-żvilġ tal-bandwi (BW) b’basa ta’ trasformatur hija impiegata biex tħossu l-BW, il-mixja, u l-area tas-silicon ta’ amplifikaturi transimpedanż (TIAs) b’basa ta’ inverter, anki meta jiżvilġgħu peak inductive. TIA b’basa ftit-teknika proponuta, disinnjat u imlayout fl-proċess 16-nm FinFET, jirriżulta f’żvilġġ ta’ 36% fil-BW, riduż ta’ 19% fil-mixja riferita għal input, u riduż ta’ 57% fil-area tas-silicon when compared to the conventional TIA with inductive peaking. Fl-arċitetture proposta tat-TIA, l-inclusion ta’ trasformatur fil-paġna forward tikkompensa parzialment għal kapacità parasitiċi tal-inverter u tinfelxa l-limitu transimpedanż tal-TIA konvenzjonali. It-teknika proponuta tinqassam ukoll is-spektur mixja riferita għal input tat-TIA. Post-layout fi żvilġġ ma’ simulazzjonijiet elettromagnetici (EM) u analisi statistika huma impiegati biex ivverifiku l-effettivament tal-arċitetture proposta. Ir-riżultati tas-simulazzjoni juri li t-TIA toħroġ gain transimpedanż ta’ 58 dB Ω , BW ta’ 17.4 GHz, mixja riferita għal input ta’ 17.4 pA/sqrt (Hz), u eye-opening ta’ 20 mV f’datarate ta’ 64 Gbps PAM4 u f’bit-error-rate (BER) ta’ 1E-6. L-anqas tat-TIA kollu se jkun qiegħed jagħmel 19 mW u jokkupa area attiva ta’ 0.023 mm 2 .

Source: IEEE Xplore

Statement: Respect the original, good articles worth sharing, if there is infringement please contact delete.