| Muhimmiya | Wone |
| Model NO. | 580-605 Watt mono-facial module with Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) technology |
| Kwọ́n ńlá | 600Wp |
| Siri | 72HL4-(V) |
Sertifikat
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Sistem Manajemen Kualitas ·
ISO14001:2015: Sistem Manajemen Lingkungan ·
ISO45001:2018: Sistem manajemen keselamatan dan kesehatan kerja.
Fitur
Modul tipe N dengan teknologi Kontak Penyegelan Oksida Terowongan (TOPcon) menawarkan degradasi LID/LeTID yang lebih rendah dan performa cahaya rendah yang lebih baik.
Modul tipe N dengan teknologi HOT 3.0 JinkoSolar menawarkan keandalan dan efisiensi yang lebih baik.
Tahan terhadap kabut asin dan amonia yang tinggi.
Disertifikasi untuk menahan: beban statis maksimum sisi depan 5400 Pa, beban statis maksimum sisi belakang 2400 Pa.
Penangkapan cahaya dan pengumpulan arus yang lebih baik untuk meningkatkan output daya dan keandalan modul.
Meminimalkan peluang degradasi yang disebabkan oleh fenomena PID melalui optimasi teknologi produksi sel dan kontrol bahan.
Karakteristik Mekanis
Konfigurasi Pengemasan
Spesifikasi (STC)
Kondisi Aplikasi
Gambar Teknik
*Catatan: Untuk dimensi dan rentang toleransi spesifik, silakan merujuk pada gambar modul detail yang sesuai.
Performa Listrik
Apa itu Teknologi TOPCon?
Teknologi TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) adalah teknologi sel fotovoltaik canggih yang digunakan untuk meningkatkan efisiensi sel surya dalam mengubah cahaya matahari menjadi listrik. Esensi dari teknologi TOPCon adalah pengenalan lapisan oksida terowongan dan lapisan polisilikon terdoping pada sisi belakang sel, yang membentuk struktur kontak penyegelan. Struktur ini mengurangi rekombinasi permukaan dan rekombinasi kontak logam, sehingga meningkatkan performa sel.
Lapisan Oksida Terowongan: Lapisan oksida terowongan ultra-tipis dibuat pada sisi belakang sel. Lapisan ini cukup tipis untuk memungkinkan elektron menembus tetapi cukup tebal untuk mengurangi kerugian rekombinasi permukaan.
Lapisan Polisilikon Terdoping: Lapisan polisilikon terdoping ditempatkan di atas lapisan oksida terowongan. Lapisan ini dapat diterdoping tipe N atau P dan digunakan untuk mengumpulkan pembawa muatan.
Kontak Penyegelan: Struktur kontak penyegelan, yang dibentuk oleh lapisan oksida terowongan dan lapisan polisilikon terdoping, secara efektif mengurangi rekombinasi permukaan dan rekombinasi kontak logam, sehingga meningkatkan tegangan sirkuit terbuka dan arus sirkuit pendek sel.
