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Was ist ein Arsenid-Gallium-Halbleiter?

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Feld: Enzyklopädie
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Was ist ein Galliumarsenid-Halbleiter?


Definition von GaAs-Halbleiter


Ein GaAs-Halbleiter ist definiert als eine Verbindung aus Gallium und Arsen aus der III-V-Gruppe, die in verschiedenen elektronischen und optoelektronischen Geräten verwendet wird.

 

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Direkter Bandlücke


GaAs hat eine direkte Bandlücke von 1,424 eV bei 300 K, was es ermöglicht, Licht zu emittieren, was für LEDs, Laserdioden und Solarzellen essentiell ist.

 


Herstellung von GaAs-Halbleitern


Es gibt mehrere Methoden zur Herstellung von GaAs-Halbleitern, abhängig von der gewünschten Reinheit, Qualität und Anwendung des Materials.

 

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Einige der gängigen Methoden sind:


  • Der vertikale Gradienten-Freeze (VGF)-Prozess


  • Die Bridgman-Stockbarger-Technik


  • Das flüssig umhüllte Czochralski (LEC)-Wachstum


  • Der Dampfphasenepitaxie (VPE)-Prozess


  • Der metallorganische chemische Dampfphasenabscheidungsprozess (MOCVD)


  • Der Molekularstrahlepitaxie (MBE)-Prozess

 


Eigenschaften eines GaAs-Halbleiters

 

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  • Hohe Elektronenbeweglichkeit

  • Niedriger Rückwärts-Sättigungsstrom

  • Hervorragende Temperaturempfindlichkeit

  • Hohe Durchschlagspannung

  • Direkte Bandlücke

 


Vorteile des GaAs-Halbleiters


GaAs-Geräte bieten hohe Geschwindigkeit, geringes Rauschen, hohe Effizienz und ausgezeichnete Temperaturstabilität, wodurch sie ideal für Hochleistungsanwendungen sind.

 

 


Anwendungen


  • Mikrowellenfrequenzintegrierte Schaltkreise (MFICs)

  • Monolithische Mikrowellenintegrierte Schaltkreise (MMICs)

  • Infrarot-Leuchtdioden (LEDs)

  • Laserdioden

  • Solarzellen

  • Optische Fenster

 


Fazit


GaAs-Halbleiter ist eine Verbindung aus Gallium und Arsen, die viele wünschenswerte Eigenschaften aufweist, wie hohe Elektronenbeweglichkeit, niedriger Rückwärts-Sättigungsstrom, hervorragende Temperaturempfindlichkeit, hohe Durchschlagspannung und direkte Bandlücke. Diese Eigenschaften ermöglichen die Verwendung von GaAs in verschiedenen elektronischen und optoelektronischen Geräten wie MFICs, MMICs, LEDs, Laserdioden, Solarzellen und optischen Fenstern. Diese Geräte haben verschiedene Anwendungen und Vorteile in unterschiedlichen Bereichen, wie Kommunikationssystemen, Radarsystemen, Satellitensystemen, drahtlosen Systemen, Fernbedienungen, optischen Sensoren, optischen Speichersystemen, medizinischen Anwendungen, Raumfahrtanwendungen und thermischen Bildgebungssystemen.


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