Hva er gallium-arsenid-semiconductor?
Definisjon av GaAs-semiconductor
En GaAs-semiconductor er definert som et forbindelse av gallium og arsenik fra gruppe III-V, brukt i ulike elektroniske og optoelektroniske enheter.
Direkte bandgap
GaAs har en direkte bandgap på 1.424 eV ved 300 K, som gjør at den kan utstråle lys, noe som er essensielt for LED-er, laserdioder og solceller.
Forberedelse av GaAs-semiconductor
Det finnes flere metoder for å produsere GaAs-semiconductorer, avhengig av ønsket renhet, kvalitet og anvendelse av materialet.
Noen av de vanlige metodene er:
Den vertikale temperaturgradientprosessen (VGF)
Bridgman-Stockbarger-teknikken
Czochralski-vækst med flytende omhylning (LEC)
Dampfasitaxi (VPE)-prosessen
Metalorganisk kjemisk dampdeponering (MOCVD)-prosessen
Molekylær stråleepitaksi (MBE)-prosessen
Egenskaper til en GaAs-semiconductor
Høy elektronmobilitet
Lav revers saturasjonsstrøm
Utmerket temperatursensitivitet
Høy nedbrytningsvoltage
Direkte bandgap
Fordeler med GaAs-semiconductor
GaAs-enheter tilbyr høy hastighet, lav støy, høy effektivitet og utmerket temperaturstabilitet, noe som gjør dem ideelle for høyytelsesapplikasjoner.
Anvendelser
Mikrobølgefrekvens-integrasjonskretser (MFICs)
Monolitiske mikrobølgeintegrasjonskretser (MMICs)
Infrarøde lysutsendende dioder (LEDs)
Laserdioder
Solceller
Optiske vinduer
Konklusjon
GaAs-semiconductor er et forbindelse av gallium og arsenik som har mange ønskede egenskaper som høy elektronmobilitet, lav revers saturasjonsstrøm, utmerket temperatursensitivitet, høy nedbrytningsvoltage og direkte bandgap. Disse egenskapene gjør at GaAs kan brukes i ulike elektroniske og optoelektroniske enheter som MFICs, MMICs, LEDs, laserdioder, solceller og optiske vinduer. Disse enhetene har ulike anvendelser og fordeler i forskjellige felt, som kommunikasjonssystemer, radar-systemer, satellittsystemer, trådløse systemer, fjernkontroller, optiske sensorer, optiske lagringssystemer, medisinske applikasjoner, romapplikasjoner og termiske bildesystemer.