מהו חומרים מוליכים למחצה של גליאום ארסניד?

מהו מוליכת סיליקון ארסניד גליום?

הגדרת מוליכת GaAs

מוליכת GaAs מוגדרת כחומר מורכב של גליום וארסן מהקבוצה III-V, המשמשת במגוון מכשירים אלקטרוניים ואופטואלקטרוניים.

הפרדה ישירה

ל-GaAs יש הפרדה ישירה של 1.424 eV ב-300 K, המאפשרת לה להפיק אור, חיונית עבור דיודות לייזר, תא שמש ו-LEDs.

הכנה של מוליכת GaAs

ישנן מספר שיטות להפקת מוליכת GaAs, בהתאם לטוהר, איכות והguna הנדרשת של החומר.

חלק מהשיטות הנפוצות הן:

• הליך הקפאה אנכית עם הגרדיאנט (VGF)

• טכניקת ברידג'מן-סטוקברגר

• צמיחה על-פי צ'וכראלסקי (LEC) עם עטיפה נוזלית

• הליך אפיטקסיה באדים (VPE)

• הליך פיזור קימיקלים אאורגני (MOCVD)

• הליך אפיטקסיה באמצעות קרני מולקולות (MBE)

תכונות של מוליכת GaAs

• ניידות אלקטרונים גבוהה

• זרם satuasi הפוך נמוך

• רגישות טמפרטורה מצוינת

• מתח שבירה גבוה

• הפרדה ישירה

יתרונות של מוליכת GaAs

מכשירי GaAs מציעים מהירות גבוהה, רעש נמוך, יעילות גבוהה ויציבות טמפרטורה מצוינת, מה שהופך אותם לאידיאליים ליישומים בעFORMANCE גבוהה.

יישומים

• מעגלים משולבים בתדרי מיקרוגל (MFICs)

• מעגלים משולבים מונוליתיים בתדרי מיקרוגל (MMICs)

• דיודות פולטות אור תת-אדום (LEDs)

• דיודות לייזר

• תאים שמש

• חלונות אופטיים

מסקנות

מוליכת GaAs היא חומר מורכב של גליום וארסן שיש לו תכונות מבוקשות רבות כגון ניידות אלקטרונים גבוהה, זרם satuasi הפוך נמוך, רגישות טמפרטורה מצוינת, מתח שבירה גבוה והפרדה ישירה. תכונות אלה מאפשרות ל-GaAs לשמש ביישומים שונים של מכשירים אלקטרוניים ואופטואלקטרוניים כגון MFICs, MMICs, LEDs, דיודות לייזר, תאים שמש וחלונות אופטיים. המכשירים הללו יש להם יישומים ונוחויות שונות בשדות שונים, כגון מערכות תקשורת, מערכות רדאר, מערכות לוויינים, מערכות אלחוטיות, בקרות מרוחקות, חיישנים אופטיים, מערכות אחסון אופטי, יישומים רפואיים, יישומים חלל ומערכות הדמיה תרמית.