गैलियम आर्सेनाइड सेमीकंडक्टर क्या है?
गैलियम आर्सेनाइड सेमीकंडक्टर परिभाषा
गैलियम आर्सेनाइड सेमीकंडक्टर III-V समूह से गैलियम और आर्सेनिक का एक मिश्रण होता है, जो विभिन्न इलेक्ट्रोनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणों में उपयोग किया जाता है।
सीधा बैंड गैप
गैलियम आर्सेनाइड 300 K पर 1.424 eV का एक सीधा बैंड गैप होता है, जो इसे प्रकाश उत्सर्जित करने की क्षमता देता है, जो LED, लेजर डायोड और सौर सेल के लिए अनिवार्य है।
गैलियम आर्सेनाइड सेमीकंडक्टर का तैयारी
गैलियम आर्सेनाइड सेमीकंडक्टर बनाने के कई तरीके हैं, जो सामग्री की अभीष्ट शुद्धता, गुणवत्ता और उपयोग पर निर्भर करते हैं।
कुछ सामान्य तरीके हैं:
वर्टिकल ग्रेडिएंट फ्रीज (VGF) प्रक्रिया
ब्रिजमन-स्टॉकबर्गर तकनीक
तरल एनकैप्सुलेटेड च्जोक्राल्स्की (LEC) विकास
वाष्प चरण एपिटेक्सी (VPE) प्रक्रिया
धातु-ऑर्गानिक रासायनिक वाष्प जमाव (MOCVD) प्रक्रिया
आणविक किरण एपिटेक्सी (MBE) प्रक्रिया
गैलियम आर्सेनाइड सेमीकंडक्टर के गुण
उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता
कम विपरीत संतृप्त धारा
अत्यधिक ताप संवेदनशीलता
उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज
सीधा बैंड गैप
गैलियम आर्सेनाइड सेमीकंडक्टर के फायदे
गैलियम आर्सेनाइड उपकरण उच्च गति, कम शोर, उच्च कार्यक्षमता और अत्यधिक ताप स्थिरता प्रदान करते हैं, जो उच्च प्रदर्शन अनुप्रयोगों के लिए आदर्श हैं।
अनुप्रयोग
माइक्रोवेव फ्रिक्वेंसी इंटीग्रेटेड सर्किट (MFICs)
मोनोलिथिक माइक्रोवेव इंटीग्रेटेड सर्किट (MMICs)
इन्फ्रारेड प्रकाश उत्सर्जित करने वाले डायोड (LEDs)
लेजर डायोड
सौर सेल
ऑप्टिकल विंडो
निष्कर्ष
गैलियम आर्सेनाइड सेमीकंडक्टर गैलियम और आर्सेनिक का एक मिश्रण है, जिसमें उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता, कम विपरीत संतृप्त धारा, अत्यधिक ताप संवेदनशीलता, उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज और सीधा बैंड गैप जैसे कई वांछनीय गुण होते हैं। इन गुणों के कारण गैलियम आर्सेनाइड विभिन्न इलेक्ट्रोनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणों जैसे MFICs, MMICs, LEDs, लेजर डायोड, सौर सेल और ऑप्टिकल विंडो में उपयोग किया जाता है। इन उपकरणों के विभिन्न क्षेत्रों में जैसे संचार प्रणालियों, रडार प्रणालियों, उपग्रह प्रणालियों, वायरलेस प्रणालियों, रिमोट कंट्रोल, ऑप्टिकल सेंसर, ऑप्टिकल स्टोरेज सिस्टम, चिकित्सा अनुप्रयोग, अंतरिक्ष अनुप्रयोग और थर्मल इमेजिंग सिस्टम में विभिन्न अनुप्रयोग और फायदे होते हैं।
