গ্যালিয়াম আর্সেনাইড সেমিকন্ডাক্টর কী?
গ্যালিয়াম আর্সেনাইড অর্ধপরিবাহী কি?
GaAs অর্ধপরিবাহীর সংজ্ঞা
GaAs অর্ধপরিবাহী হল গ্যালিয়াম এবং আর্সেনিকের একটি যৌগ, যা III-V গ্রুপ থেকে নেওয়া হয় এবং বিভিন্ন ইলেকট্রনিক ও ফোটোইলেকট্রনিক ডিভাইসে ব্যবহৃত হয়।
সরাসরি ব্যান্ড গ্যাপ
GaAs-এ 300 K তাপমাত্রায় 1.424 eV সরাসরি ব্যান্ড গ্যাপ থাকে, যা আলো উৎসর্গ করতে সক্ষম করে, যা LEDs, লেজার ডায়োড এবং সৌর কোষের জন্য অপরিহার্য।
GaAs অর্ধপরিবাহীর প্রস্তুতি
GaAs অর্ধপরিবাহী তৈরি করার জন্য বিভিন্ন পদ্ধতি রয়েছে, যা পদার্থের প্রয়োজনীয় পরিশুদ্ধতা, মান এবং ব্যবহারের উপর নির্ভর করে।
কিছু সাধারণ পদ্ধতি হল:
ভার্টিকাল গ্রেডিয়েন্ট ফ্রিজ (VGF) প্রক্রিয়া
ব্রিজম্যান-স্টকবার্গার পদ্ধতি
লিকুইড এনক্যাপ্সুলেটেড চোখরালস্কি (LEC) গ্রোথ
ভেপোর ফেজ এপিটাক্সি (VPE) প্রক্রিয়া
মেটালঅর্গানিক কেমিক্যাল ভেপোর ডিপোজিশন (MOCVD) প্রক্রিয়া
মলিকুলার বিম এপিটাক্সি (MBE) প্রক্রিয়া
GaAs অর্ধপরিবাহীর বৈশিষ্ট্য
উচ্চ ইলেকট্রন সঞ্চালন
কম রিভার্স স্যাচুরেশন কারেন্ট
অসাধারণ তাপমাত্রা সংবেদনশীলতা
উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ
সরাসরি ব্যান্ড গ্যাপ
GaAs অর্ধপরিবাহীর সুবিধা
GaAs ডিভাইস উচ্চ গতি, কম নয়জ, উচ্চ দক্ষতা এবং অসাধারণ তাপমাত্রা স্থিতিশীলতা প্রদান করে, যা উচ্চ পারফরমেন্স অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ।
অ্যাপ্লিকেশন
মাইক্রোওয়েভ ফ্রিকোয়েন্সি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (MFICs)
মনোলিথিক মাইক্রোওয়েভ ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (MMICs)
ইনফ্রারেড লাইট-ইমিটিং ডায়োড (LEDs)
লেজার ডায়োড
সৌর কোষ
অপটিক্যাল উইন্ডো
সংক্ষিপ্তসার
GaAs অর্ধপরিবাহী হল গ্যালিয়াম এবং আর্সেনিকের একটি যৌগ, যা উচ্চ ইলেকট্রন সঞ্চালন, কম রিভার্স স্যাচুরেশন কারেন্ট, অসাধারণ তাপমাত্রা সংবেদনশীলতা, উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ এবং সরাসরি ব্যান্ড গ্যাপ সহ বিভিন্ন উপযোগী বৈশিষ্ট্য রয়েছে। এই বৈশিষ্ট্যগুলি GaAs-কে MFICs, MMICs, LEDs, লেজার ডায়োড, সৌর কোষ এবং অপটিক্যাল উইন্ডোসহ বিভিন্ন ইলেকট্রনিক ও ফোটোইলেকট্রনিক ডিভাইসে ব্যবহার করার জন্য সক্ষম করে। এই ডিভাইসগুলি বিভিন্ন ক্ষেত্রে যেমন যোগাযোগ সিস্টেম, রেডার সিস্টেম, উপগ্রহ সিস্টেম, ওয়্যারলেস সিস্টেম, রিমোট কন্ট্রোল, অপটিক্যাল সেন্সর, অপটিক্যাল স্টোরেজ সিস্টেম, চিকিৎসা প্রয়োগ, স্পেস প্রয়োগ এবং থার্মাল ইমেজিং সিস্টেমে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশন এবং সুবিধা প্রদান করে।
