Điốt hóa ga là gì?
Gallium Arsenide Semiconductor là gì?
Định nghĩa về GaAs Semiconductor
GaAs semiconductor được định nghĩa là hợp chất của gallium và arsênic từ nhóm III-V, được sử dụng trong nhiều thiết bị điện tử và quang điện tử.
Khoảng cách dải trực tiếp
GaAs có khoảng cách dải trực tiếp là 1.424 eV ở 300 K, cho phép nó phát ra ánh sáng, rất cần thiết cho LED, laser diode và pin mặt trời.
Chuẩn bị GaAs semiconductor
Có nhiều phương pháp để sản xuất GaAs semiconductors, tùy thuộc vào độ tinh khiết, chất lượng và ứng dụng của vật liệu.
Một số phương pháp phổ biến là:
Quá trình đóng băng theo chiều dọc (VGF)
Phương pháp Bridgman-Stockbarger
Sự phát triển Czochralski bao bọc bằng chất lỏng (LEC)
Quá trình tạo màng hơi pha (VPE)
Quá trình lắng đọng hơi hóa học kim loại hữu cơ (MOCVD)
Quá trình tạo màng tia phân tử (MBE)
Tính chất của GaAs Semiconductor
Độ di chuyển electron cao
Dòng bão hòa ngược thấp
Độ nhạy nhiệt tuyệt vời
Điện áp phá hủy cao
Khoảng cách dải trực tiếp
Ưu điểm của GaAs Semiconductor
Thiết bị GaAs cung cấp tốc độ cao, nhiễu thấp, hiệu suất cao và ổn định nhiệt tuyệt vời, làm cho chúng lý tưởng cho các ứng dụng hiệu suất cao.
Ứng dụng
Mạch tích hợp tần số vi sóng (MFICs)
Mạch tích hợp vi sóng monolithic (MMICs)
Điôt phát sáng hồng ngoại (LEDs)
Điôt laser
Pin mặt trời
Cửa sổ quang học
Kết luận
GaAs semiconductor là hợp chất của gallium và arsênic có nhiều tính chất mong muốn như độ di chuyển electron cao, dòng bão hòa ngược thấp, độ nhạy nhiệt tuyệt vời, điện áp phá hủy cao, và khoảng cách dải trực tiếp. Những tính chất này cho phép GaAs được sử dụng trong nhiều thiết bị điện tử và quang điện tử như MFICs, MMICs, LEDs, điôt laser, pin mặt trời, và cửa sổ quang học. Các thiết bị này có nhiều ứng dụng và ưu điểm trong các lĩnh vực khác nhau, như hệ thống thông tin liên lạc, hệ thống radar, hệ thống vệ tinh, hệ thống không dây, điều khiển từ xa, cảm biến quang, hệ thống lưu trữ quang, ứng dụng y tế, ứng dụng không gian, và hệ thống ảnh nhiệt.
