Galyum Arsenit Yarıiletken Nedir?
GaAs Yarıiletken Tanımı
GaAs yarıiletken, çeşitli elektronik ve optoelektronik cihazlarda kullanılan III-V grubundan galyum ve arsenikten oluşan bir bileşiktir.
Doğrudan Bant Aralığı
GaAs, 300 K'de 1.424 eV'lik doğrudan bant aralığına sahiptir, bu da IŞI LED'ler, lazer diyotları ve güneş hücresi uygulamaları için ışık yaymasını sağlar.
GaAs yarıiletkenin hazırlanması
Malzemenin istenen saflık, kalite ve uygulamasına bağlı olarak GaAs yarıiletkenlerinin üretimi için birkaç yöntem vardır.
Bazı yaygın yöntemler şunlardır:
Dikey gradyan dondurma (VGF) işlemi
Bridgman-Stockbarger tekniği
Sıvı kaplama Czochralski (LEC) büyümesi
Buhar faz epitaksi (VPE) işlemi
Metalorganik kimyasal buhar fazı depolama (MOCVD) işlemi
Moleküler ışın epitaksi (MBE) işlemi
GaAs Yarıiletkenin Özellikleri
Yüksek elektron hareketliliği
Düşük ters doygun akım
Mükemmel sıcaklık hassasiyeti
Yüksek bozulma gerilimi
Doğrudan bant aralığı
GaAs Yarıiletkenin Avantajları
GaAs cihazları, yüksek hız, düşük gürültü, yüksek verimlilik ve mükemmel sıcaklık istikrarı sunarak, yüksek performanslı uygulamalar için idealdir.
Uygulamalar
Mikrodalga frekans entegre devreleri (MFIC'ler)
Monolitik mikrodalga entegre devreleri (MMIC'ler)
Kızılötesi ışık yayan diotlar (LED'ler)
Lazer diotları
Güneş hücresi
Optik pencereler
Sonuç
GaAs yarıiletken, yüksek elektron hareketliliği, düşük ters doygun akım, mükemmel sıcaklık hassasiyeti, yüksek bozulma gerilimi ve doğrudan bant aralığı gibi birçok istenen özelliğe sahip galyum ve arsenikten oluşan bir bileşiktir. Bu özellikler, GaAs'in MFIC'ler, MMIC'ler, LED'ler, lazer diotları, güneş hücresi ve optik pencereler gibi çeşitli elektronik ve optoelektronik cihazlarda kullanılmasına olanak tanır. Bu cihazlar, iletişim sistemleri, radar sistemleri, uydu sistemleri, kablosuz sistemler, uzaktan kumandalar, optik sensörler, optik depolama sistemleri, tıbbi uygulamalar, uzay uygulamaları ve termal görüntüleme sistemleri gibi farklı alanlarda çeşitli uygulamalar ve avantajlara sahiptir.
