چه چیزی آرسنید گالیوم نیم‌رسانا است

چه چیزی است نیمه‌رسانا Gallium Arsenide؟

تعریف نیمه‌رسانا GaAs

نیمه‌رسانا GaAs به عنوان ترکیبی از گالیوم و آرسنیک از گروه III-V تعریف می‌شود که در انواع دستگاه‌های الکترونیکی و نور-الکترونیکی استفاده می‌شود.

باند مستقیم

GaAs دارای باند مستقیم ۱.۴۲۴ eV در دمای ۳۰۰ K است که به آن اجازه می‌دهد نور تابیده کند، این خاصیت برای LEDها، دیود لیزری و سلول‌های خورشیدی ضروری است.

تهیه نیمه‌رسانا GaAs

چند روش برای تولید نیمه‌رسانا GaAs وجود دارد که به پاکی بودن، کیفیت و کاربرد ماده بستگی دارد.

برخی از روش‌های معمول عبارتند از:

• فرآیند یخ زدن شیب عمودی (VGF)

• تکنیک Bridgman-Stockbarger

• رشد Czochralski با پوشش مایع (LEC)

• فرآیند اپیتاکسی فاز بخار (VPE)

• فرآیند رسوب‌دهی بخار مواد آلی فلزی (MOCVD)

• فرآیند اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE)

خصوصیات نیمه‌رسانا GaAs

• حرکت الکترون بالا

• جریان اشباع معکوس پایین

• حساسیت دمایی عالی

• ولتاژ تخریب بالا

• باند مستقیم

مزایای نیمه‌رسانا GaAs

دستگاه‌های GaAs دارای سرعت بالا، نویز کم، کارایی بالا و پایداری دما عالی هستند که آن‌ها را برای کاربردهای با عملکرد بالا مناسب می‌سازد.

کاربردها

• مدارهای مجتمع فرکانس میکروویو (MFICs)

• مدارهای مجتمع میکروویو یکپارچه (MMICs)

• دیودهای نوردهنده پرتو فروسرخ (LEDs)

• دیودهای لیزر

• سلول‌های خورشیدی

• پنجره‌های نوری

نتیجه‌گیری

نیمه‌رسانا GaAs یک ترکیب از گالیوم و آرسنیک است که خصوصیات مطلوبی مانند حرکت الکترون بالا، جریان اشباع معکوس پایین، حساسیت دمایی عالی، ولتاژ تخریب بالا و باند مستقیم دارد. این خصوصیات به GaAs اجازه می‌دهد که در دستگاه‌های مختلف الکترونیکی و نور-الکترونیکی مانند MFICs، MMICs، LEDs، دیودهای لیزر، سلول‌های خورشیدی و پنجره‌های نوری استفاده شود. این دستگاه‌ها کاربردها و مزایای مختلفی در زمینه‌های مختلفی مانند سیستم‌های ارتباطی، سیستم‌های رادار، سیستم‌های ماهواره‌ای، سیستم‌های بی‌سیم، کنترلرهای دور، سنسورهای نوری، سیستم‌های ذخیره‌سازی نوری، کاربردهای پزشکی، کاربردهای فضایی و سیستم‌های تصویربرداری حرارتی دارند.