| Znamka | Wone |
| Model št | 580-605 vati monofacialni modul z tehnologijo Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) |
| Največja moč | 600Wp |
| Serija | 72HL4-(V) |
Certifikacija
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Sistem upravljanja kakovostjo ·
ISO14001:2015: Sistem upravljanja okoljem ·
ISO45001:2018: Sistem upravljanja varnostjo in zdravjem pri delu.
Značilnosti
N-tip moduli z tehnologijo Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) ponujajo manjšo degradacijo LID/LeTID in boljšo učinkovitost pri slabem svetlobnem stanju.
N-tip moduli z JinkoSolar HOT 3.0 tehnologijo ponujajo boljšo zanesljivost in učinkovitost.
Visoka odpor proti solani mlazi in amoniju.
Certificirani za odpiranje: 5400 Pa maksimalno statični testni obremenitveni napor na prednji strani 2400 Pa maksimalno statični testni obremenitveni napor na zadnji strani.
Boljša zajemanje svetlobe in zbiranje toka za izboljšanje izhodne moči modula in zanesljivosti.
Minimizira možnost degradacije, povzročene pojavom PID, s posredovanjem tehnologije proizvodnje celic in nadzorom materialov.
Mehanske značilnosti
Pakiranje
Specifikacije (STC)
Pogoji uporabe
Inženirski risbe
*Opomba: Za specifične mere in tolerančne razpony se sklicujte na ustrezne podrobne risbe modula.
Električna zmogljivost
Kaj je TOPCon tehnologija?
TOPCon tehnologija (Tunnel Oxide Passivated Contact) je napredna fotovoltaična celica, ki se uporablja za izboljšanje učinkovitosti pretvarjanja sončne svetlobe v električno energijo. Središče TOPCon tehnologije je vpeljava tunelne oksidne plastve in dopiranega polikristalnega silicija na zadnji strani celice, kar tvori pasivirano stikalo. Ta struktura zmanjša površinsko rekonverzijo in metalno stikalno rekonverzijo, s tem pa izboljša zmogljivost celice.
Tunelna oksidna plastva: Na zadnji strani celice je izdelana ultra tanka tunelna oksidna plastva. Ta plastva je dovolj tanka, da elektroni lahko tunelirajo skozi, a dovolj debela, da zmanjša izgube površinske rekonverzije.
Dopiran polikristalni silicij: Plastva dopiranega polikristalnega silicija je nanasljena na tunelno oksidno plastvo. Ta plastva lahko vsebuje N-tip ali P-tip dopiranja in se uporablja za zbiranje nabiti nosilcev.
Pasivirano stikalo: Struktura pasiviranega stikala, sestavljena iz tunelne oksidne plastve in dopiranega polikristalnega silicija, učinkovito zmanjša površinsko rekonverzijo in metalno stikalno rekonverzijo, s tem pa poveča odprti tok in kratkokrmilni tok celice.
