580-605 ватов монолицев модул с технология Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon)

Сертификация

• IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

•  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

• ISO9001:2015: Система управление качеством ·

• ISO14001:2015: Система управление околната среда ·

•  ISO45001:2018: Система за управление на здравето и безопасността на работното място.

Характеристики

• Модули от тип N с технология Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) предлагат по-ниска деградация LID/LeTID и по-добро изпълнение при слаба светлина.

• Модули от тип N с технология HOT 3.0 на JinkoSolar предлагат по-голяма надеждност и ефективност.

• Висока устойчивост към солен мъгла и амоняк.

• Сертифицирани да издържат: статична пробна нагрузка от 5400 Па от предната страна и 2400 Па от задната страна.

• Подобряване на ловуването на светлина и събирането на ток за подобряване на мощността и надеждността на модула.

• Минимизиране на възможността за деградация, причинена от феномените PID, чрез оптимизация на технологията за производство на клетки и контрол на материали.

Механични характеристики

Конфигурация на опаковката

Спецификации (STC)

Условия за приложение

Инженерни чертежи

*Забележка: За конкретни размери и допустими отклонения, моля, обратете се към съответните детайли на модула.

Електрическо изпълнение 

Какво е технологията TOPCon?

Технологията TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) е напреднала технология за фотovoltaчни клетки, използвана за подобряване на ефективността на солнечните клетки в преобразуването на слънчевата светлина в електричество. Есенцията на технологията TOPCon е въвеждането на тунелна оксидна слой и допиран полисилан слой върху задната страна на клетката, които формират структура на пасивиран контакт. Тази структура намалява повърхностната рекомбинация и металната контактна рекомбинация, като по този начин подобрява изпълнението на клетката.

• Тунелна оксидна слой: Ултра-тънка тунелна оксидна слой се изработва на задната страна на клетката. Този слой е достатъчно тънък, за да позволи електроните да преминат през него, но достатъчно дебел, за да намали загубите от повърхностна рекомбинация.

• Допиран полисилан слой: Слой от допиран полисилан се депонира върху тунелния оксиден слой. Този слой може да бъде или N-тип, или P-тип допиран и се използва за събиране на зарядни носители.

• Пасивиран контакт: Структурата на пасивиран контакт, образувана от тунелния оксиден слой и допиран полисилан слой, ефективно намалява повърхностната рекомбинация и металната контактна рекомбинация, като по този начин увеличава отворената цепна напрежение и краткосрочния ток на клетката.