| Marca | Wone |
| Número de model | Mòdul monofacial de 580-605 Watts amb tecnologia de Contactes Passivants d'Òxid de Tunel (TOPcon) |
| Potència màxima | 585Wp |
| Sèrie | 72HL4-(V) |
Certificació
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Sistema de gestió de la qualitat ·
ISO14001:2015: Sistema de gestió ambiental ·
ISO45001:2018: Sistemes de gestió de la salut i seguretat ocupacional.
Característiques
Els mòduls de tipus N amb tecnologia Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) oferixen una menor degradació LID/LeTID i millor rendiment enllumenat baix.
Els mòduls de tipus N amb la tecnologia HOT 3.0 de JinkoSolar oferixen millor fiabilitat i eficiència.
Alta resistència a la salinitat i l'ammoniaca.
Certificats per suportar: 5400 Pa de càrrega estàtica màxima al costat frontal i 2400 Pa de càrrega estàtica màxima al costat posterior.
Millor captació de llum i recol·lecció de corrent per millorar la potència del mòdul i la seva fiabilitat.
Minimitza la possibilitat de degradació causada pels fenòmens PID mitjançant l'optimització de la tecnologia de producció de les cel·les i el control dels materials.
Característiques mecàniques
Configuració d'embalatge
Especificacions (STC)
Condicions d'aplicació
Dibuixos d'enginyeria
*Nota: Per a dimensions específiques i rangs de tolerància, si us plau, referiscu-vos als dibuixos de mòduls detallats corresponents.
Rendiment elèctric
Què és la tecnologia TOPCon?
La tecnologia TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) és una tecnologia avançada de cèl·lules fotovoltaiques utilitzada per augmentar l'eficiència de les cèl·lules solars en convertir la llum solar en electricitat. L'essència de la tecnologia TOPCon és la introducció d'una capa d'òxid de túnel i una capa de polisilici dopat al costat posterior de la cèl·lula, que forma una estructura de contacte passivat. Aquesta estructura redueix la recombinació superficial i la recombinació de contacte metàl·lic, millorant així el rendiment de la cèl·lula.
Capa d'òxid de túnel: Es fabrica una capa ultrafina d'òxid de túnel al costat posterior de la cèl·lula. Aquesta capa és prou fina per permetre que els electrons travessin, però prou grossa per reduir les pèrdues de recombinació superficial.
Capa de polisilici dopat: Es deposita una capa de polisilici dopat sobre la capa d'òxid de túnel. Aquesta capa pot ser dopada de tipus N o P i s'utilitza per recol·lectar els portadors de càrrega.
Contacte passivat: La estructura de contacte passivat, formada per la capa d'òxid de túnel i la capa de polisilici dopat, redueix efectivament la recombinació superficial i la recombinació de contacte metàl·lic, augmentant així la tensió oberta i la corrent de curcuit tancat de la cèl·lula.
