| Бренд | Wone |
| Номер моделі | Модуль з одностороннім прийняттям 580-605 Вт з технологією Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) |
| Максимальна потужність | 580Wp |
| Серія | 72HL4-(V) |
Сертифікація
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Система управління якістю ·
ISO14001:2015: Система управління навколишнім середовищем ·
ISO45001:2018: Система управління охороною праці та безпекою.
Особливості
Модулі типу N з технологією Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) надають нижчу рівень виродження LID/LeTID та кращу продуктивність при слабкому освітленні.
Модулі типу N з технологією JinkoSolar's HOT 3.0 надають кращу надійність та ефективність.
Висока стійкість до солоного пару та аміаку.
Сертифіковані на витриваність: максимальна статична навантаження передньої сторони 5400 Па, максимальна статична навантаження задньої сторони 2400 Па.
Краще захоплення світла та збор струму для підвищення продуктивності модуля та надійності.
Зменшення шансів на виродження, спричинене явищем PID, завдяки оптимізації технології виробництва клітинок та контролю матеріалів.
Механічні характеристики
Конфігурація упаковки
Технічні характеристики (STC)
Умови застосування
Інженерні чертежі
*Примітка: Для конкретних розмірів та діапазонів допусків, будь ласка, зверніться до відповідних детальних чертежів модуля.
Електрична продуктивність
Що таке технологія TOPCon?
Технологія TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) - це передова технологія фотovoltaic клітин, що використовується для підвищення ефективності сонячних клітин у перетворенні сонячного світла на електроенергію. Суть технології TOPCon полягає у введення тунельного оксидного шару та дотованого полікристалічного шару на задній стороні клітини, що формує структуру пасивованого контакту. Ця структура зменшує поверхневу рекомбінацію та металевий контактний рекомбінацію, що покращує продуктивність клітини.
Тунельний оксидний шар: На задню сторону клітини наноситься надтонкий тунельний оксидний шар. Цей шар достатньо тонкий, щоб дозволити електронам проходити через нього, але достатньо густий, щоб зменшити втрати від поверхневої рекомбінації.
Дотований полікристалічний шар: На тунельний оксидний шар наноситься шар дотованого полікристалічного кремнію. Цей шар може бути дотований N-типом або P-типом і використовується для збирання зарядових носіїв.
Пасивований контакт: Структура пасивованого контакту, сформована тунельним оксидним шаром та дотованим полікристалічним шаром, ефективно зменшує поверхневу рекомбінацію та металевий контактний рекомбінацію, що збільшує відкрите напругу та короткозамкнутий струм клітини.
