
- Şarj Nedenlerinin Derin Analizi
- Yüzey Kirliliği İyonizasyonu
o Mekanizma: Kirlilikler (tuz tozu, kimyasal birikintiler) nemli ortamlarda elektrolize olup iletken kanallar oluşturur.
o Kritik Eşik Değeri: Bağıl nem %75'ın üzerinde ve kirlilik yoğunluğu 0.1mg/cm²'nin üzerinde olduğunda sızıntı akımı artar.
- Su Damlacığı İle Oluşan Elektrik Alan Bozulması
o Mekanizma: Yağmur damlaları kabartma kenarlarında birikerek, yerel elektrik alan gücünün sınırları aşmasına (3kV/cm'den fazla) neden olur, bu da korona şarjını tetikler.
- Malzeme ve Yapısal Kusurlar
o Mekanizma: İç boşluklar/kırıklar kısmi şarj (PD >20pC) oluşturarak, yığılan hasar sonucunda yalıtım başarısızlığını sağlar.
II. Şarj Etkilerinin Nicel Analizi
|
Etki Boyutu
|
Spesifik Gösterge
|
Risk Seviyesi
|
|
Ekipman Hasarı
|
Buzlanma karbonizasyonu, donanım aşınması (>800℃)
|
⭐⭐⭐⭐
|
|
Elektromanyetik Gürültü
|
30-300MHz gürültüsü 40dB'yi aşıyor
|
⭐⭐⭐
|
|
Sistem Kararlılığı
|
Tekil şimşek düşmesi >15% şebeke gerilim düşüşüne neden olur
|
⭐⭐⭐⭐⭐
|
III. Tam Zincir Çözümleri
- Önleyici Bakım Sistemi
• Akıllı Temizlik Döngüsü: ESDD izlemeye dayalı olarak temizlik eşiğini dinamik olarak ayarlayın (önerilen NSDD ≤0.05mg/cm²).
• Hidrofobik Özellik Geri Kazanımı: RTV Tip II kirletme şimşek düşmesini önleyen kaplama uygulayın (temas açısı >105°).
- Etkin Koruma Tasarımı
• Havadnam Bilimi Optimizasyonu: Su damlacıklarının atılmasını %70 artıracak değişken çaplı kabartma yapısını benimseyin.
• Elektrik Alan Dağılımı: Gradyen halkaları kurun (alan gradyanı ≤0.5kV/cm).
- Durum İzleme ve Değiştirme Kriterleri
Üç seviyeli tanı protokolünü uygulayın:
(1) Infrakırmızı Termografi: Ortama göre lokal sıcak noktalar ΔT >15°C gösterdiğinde ultraviyole (UV) görüntüleme tetiklenir (IEEE 1313.2'ye göre).
(2) Şarj Deseni Doğrulaması: UV görüntüleme ile korona dağılımını doğrulayın.
(3) Şarj Miktarı Belirleme: UV anormallik tespit ederse ultrasonik PD tespiti gerçekleştirin. Aşağıdaki durumlarda değiştirme zorunludur:
- PD >100pC (DL/T 596 Standardı)
- PRPD spektrumu yüzey/içsel kusur desenleri gösterir.
Kritik olmayan vakalar rutin izlemeye döner.
IV. Teknoloji Yenileme Yolu
• Malzeme Devrimi: Seramik yerine kompozit yalıtıcıları kullanın (ark direnci >250s, otomatik hidrofobik özellik transferi).
• Dijital İkiz Entegrasyonu: RFID çipleri + 3D elektrik alan simülasyonu ile ≤5% ömür tahmini hatası sağlanır.
Sonuç
Koordineli kirlilik sınıflandırması, yapısal optimizasyon ve akıllı tanılar, yalıtıcı şarj arızalarını 0.03 olay/100km·yıl (IEEE 1523 Standartı) seviyesine indirir, şebeke içkin güvenliği önemli ölçüde artırır.
Temel Avantajlar
- Maliyet Verimliliği: Önleyici bakım, arızadan sonra yapılan onarım maliyetlerinden 5.8 kat daha az maliyetlidir.
- Uyumluluk: 35kV~1000kV gerilim sınıflarıyla uyumludur.
- Geleceğe Uygunluk: Akıllı şebekeler için IoT entegrasyonunu destekler.