| Merke | Wone |
| Modellnummer | 580-605 vatt monofaset modul med Tunneloksidpassiverende kontakter (TOPcon) teknologi |
| Maksimal effekt | 605Wp |
| Serie | 72HL4-(V) |
Sertifisering
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Kvalitetsledelsessystem ·
ISO14001:2015: Miljøledelsessystem ·
ISO45001:2018: Arbeidsmiljøledelsessystem.
Egenskaper
N-type moduler med Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) teknologi tilbyr lavere LID/LeTID degradasjon og bedre ytelse i svakt lys.
N-type moduler med JinkoSolar's HOT 3.0 teknologi tilbyr bedre pålitelighet og effektivitet.
Høy saltmist og ammoniakbestandighet.
Sertifisert for å tåle: 5400 Pa maks statisk belastning på forsiden, 2400 Pa maks statisk belastning på baksiden.
Bedre lysfangst og strømsamling for å forbedre modulens effektleveranse og pålitelighet.
Minimerer sannsynligheten for degradasjon forårsaket av PID-fenomen ved optimalisering av celleproduksjonsteknologi og materialkontroll.
Mekaniske egenskaper
Emballasjekonfigurasjon
Spesifikasjoner (STC)
Betingelser for bruk
Ingeniørtegninger
*Merk: For spesifikke dimensjoner og toleranser, vennligst se de korresponderende detaljerte modultegningene.
Elektrisk ytelse
Hva er TOPCon-teknologi?
TOPCon-teknologi (Tunnel Oxide Passivated Contact) er en avansert fotovoltaisk cellteknologi som brukes for å forbedre effektiviteten til solceller i omvandling av sollys til elektrisitet. Essensen av TOPCon-teknologi er innføringen av et tunneloksidlag og et dopet polysilisiumslag på baksiden av cellen, som danner en passiveringskontaktsstruktur. Denne strukturen reduserer overfladerekomponering og metallkontaktrekomponering, dermed forbedrer cellens ytelse.
Tunneloksidlag: Et ultra-tynnt tunneloksidlag blir laget på baksiden av cellen. Dette laget er tynn nok til å tillate at elektroner kan tunge gjennom, men tykt nok til å redusere overfladerekomponeringsforlust.
Dopet polysilisiumslag: Et slag av dopet polysilisium deponeres på toppen av tunneloksidlaget. Dette slaget kan være enten N-type eller P-type dopet og brukes for å samle ladningsbærere.
Passiveringskontakt: Passiveringskontaktsstrukturen, formet av tunneloksidlaget og dopet polysilisiumslaget, reduserer effektivt overfladerekomponering og metallkontaktrekomponering, dermed øker cellens åpen-sirkuitsspenning og kort-sirkuitstrøm.
