| Varumärke | Wone |
| Modellnummer | 580-605 Watt ensidig modul med Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon)-teknik |
| Maximal effekt | 600Wp |
| Serier | 72HL4-(V) |
Certifiering
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Kvalitetsledningssystem ·
ISO14001:2015: Miljöledningssystem ·
ISO45001:2018: Arbetarskydd och hälsohanteringssystem.
Funktioner
N-typ moduler med Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) teknologi erbjuder lägre LID/LeTID-försämring och bättre prestanda vid svagt ljus.
N-typ moduler med JinkoSolar's HOT 3.0-teknologi erbjuder bättre tillförlitlighet och effektivitet.
Hög motståndskraft mot saltfukt och ammoniak.
Certifierad för att tåla: 5400 Pa frontsidan max statisk testbelastning 2400 Pa baksidan max statisk testbelastning.
Bättre ljefångst och strömavläsning för att förbättra modulens effektleverans och tillförlitlighet.
Minimerar chansen för försämring orsakad av PID-fenomen genom optimering av cellproduktionsteknik och materialkontroll.
Mekaniska egenskaper
Emballagekonfiguration
Specifikationer (STC)
Användningsvillkor
Konstruktionsritningar
*Notera: För specifika dimensioner och toleransintervall, vänligen se de motsvarande detaljerade modulritningarna.
Elektrisk prestanda
Vad är TOPCon-teknik?
TOPCon-teknik (Tunnel Oxide Passivated Contact) är en avancerad fotovoltaic cellteknik som används för att förbättra effektiviteten hos solceller i omvandlingen av solljus till elektricitet. Essensen av TOPCon-tekniken är introduktionen av ett tunneloxidlager och ett dopat polysiliconlager på baksidan av cellen, vilket bildar en passiverad kontaktstruktur. Denna struktur minskar ytrekombination och metallkontaktrekombination, vilket därmed förbättrar cellens prestanda.
Tunneloxidlager: Ett ultratunt tunneloxidlager framställs på baksidan av cellen. Detta lager är tillräckligt tunnt för att tillåta elektroner att tunnla genom men tillräckligt tjockt för att reducera ytrekombinationsförluster.
Dopat polysiliconlager: Ett lager av dopat polysilicon depone ras ovanpå tunneloxidlager. Detta lager kan vara antingen N-typ eller P-typ dopat och används för att samla in laddningsbärare.
Passiverad kontakt: Den passiverade kontaktstrukturen, formad av tunneloxidlager och det dopade polysiliconlagret, minskar effektivt ytrekombination och metallkontaktrekombination, vilket ökar cellens öppna spänningsvärde och kortslutningsström.
