| ब्राण्ड | Wone |
| मॉडल नंबर | ५८०-६०५ वाटको एकमुखी माड्युल जसमा टनेल ऑक्साइड पासिफायिङ कन्टक्ट (TOPcon) प्रविधि रहेको छ |
| सर्वाधिक शक्ति | 600Wp |
| श्रृंखला | 72HL4-(V) |
प्रमाणीकरण
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: गुणस्तर प्रबंधन प्रणाली ·
ISO14001:2015: पर्यावरण प्रबंधन प्रणाली ·
ISO45001:2018: कार्यस्थल स्वास्थ्य र सुरक्षा प्रबंधन प्रणाली।
विशेषताहरू
टनेल ऑक्साइड पासिफाइन्ग कन्टेक्ट (TOPcon) प्रविधि भएका N-टाइप मोड्यूलहरूले निम्न LID/LeTID अवसान र बेहतर निम्न प्रकाश उत्पादन दिन्छन्।
JinkoSolar को HOT 3.0 प्रविधि भएका N-टाइप मोड्यूलहरूले बेहतर विश्वसनीयता र दक्षता दिन्छन्।
उच्च नुनको धुँआ र अमोनिया प्रतिरोधकता।
प्रमाणित: 5400 Pa अग्लो भागको अधिकतम स्थिर परीक्षण भार 2400 Pa पछाडी भागको अधिकतम स्थिर परीक्षण भार।
बेहतर प्रकाश ट्रैपिङ र विद्युत आरोपण गर्ने जसले मोड्यूलको शक्ति उत्पादन र विश्वसनीयता बढाउँछ।
सेल उत्पादन प्रविधि र सामग्री नियंत्रणको अनुकूलन गर्दै PID घटनाले उत्पन्न गर्ने अवसानको संभावना कम गर्ने।
यान्त्रिक विशेषताहरू
पैकेजिङ विन्यास
विशिष्टताहरू (STC)
अनुप्रयोग शर्तहरू
इंजिनियरिङ चित्रहरू
*नोट: विशिष्ट आकार र सहनशीलता विस्तारको लागि कृपया अनुरूप विस्तृत मोड्यूल चित्रहरूलाई देख्नुहोस्।
विद्युतीय प्रदर्शन
TOPCon प्रविधि के हो?
TOPCon प्रविधि (टनेल ऑक्साइड पासिफाइन्ग कन्टेक्ट) एक उन्नत फोटोवोल्टेइक सेल प्रविधि हो जसले सौर सेलहरूले सूर्यको प्रकाशलाई विद्युतमा रूपान्तरण गर्ने दक्षतालाई बढाउँछ। TOPCon प्रविधिको मुख्य तत्व यो छ कि सेलको पछाडी भागमा एक टनेलिङ ऑक्साइड परत र एक डोपिङ गरिएको पॉलिसिलिकन परत लगाइएको छ, जसले एक पासिफाइड कन्टेक्ट संरचना बनाउँछ। यो संरचना सतही रिकंबिनेसन र धातु कन्टेक्ट रिकंबिनेसनलाई कम गर्छ, जसले सेलको प्रदर्शन बढाउँछ।
टनेल ऑक्साइड परत: सेलको पछाडी भागमा एक अत्यधिक पतलो टनेलिङ ऑक्साइड परत बनाइएको छ। यो परत यति पतलो छ कि इलेक्ट्रनहरूले टनेलिङ गर्न सक्छन् तर सतही रिकंबिनेसन नुकसान कम गर्न यो यति ठूलो छ।
डोपिङ गरिएको पॉलिसिलिकन परत: टनेलिङ ऑक्साइड परतको ऊपर एक डोपिङ गरिएको पॉलिसिलिकन परत लगाइएको छ। यो परत या टाइप वा P-टाइप डोपिङ गरिएको हुन सक्छ र यसले आवेश बाहकहरूलाई संकलन गर्ने काम गर्छ।
पासिफाइड कन्टेक्ट: टनेलिङ ऑक्साइड परत र डोपिङ गरिएको पॉलिसिलिकन परतले बनेको पासिफाइड कन्टेक्ट संरचना यो सतही रिकंबिनेसन र धातु कन्टेक्ट रिकंबिनेसनलाई कम गर्छ, जसले सेलको ओपन-सर्किट वोल्टेज र शॉर्ट-सर्किट करेन्ट बढाउँछ।
