| ბრენდი | Wone |
| მოდელის № | 580-605 ვატიანი ერთმხრივი მოდული ტუნელური ოქსიდის პასივირებული კონტაქტების (TOPcon) ტექნოლოგიით |
| მაქსიმალური ძალა | 600Wp |
| სერია | 72HL4-(V) |
სერტიფიკაცია
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: ხელმისაწვდომობის მართვის სისტემა ·
ISO14001:2015: გარემოს მართვის სისტემა ·
ISO45001:2018: პროფესიული ჯანმრთელობისა და უსაფრთხოების მართვის სისტემა.
თვისებები
N-ტიპის მოდულები ტუნელური ოქსიდის პასივიზირებული კონტაქტების (TOPcon) ტექნოლოგიით შეიძლება შეიცავდეს დაბალ ლიდ/ლეტიდ დეგრადაციას და უკეთ მცირე სინათლის პერფორმანსას.
N-ტიპის მოდულები JinkoSolar-ის HOT 3.0 ტექნოლოგიით შეიძლება შეიცავდეს უკეთ დამყარებას და ეფექტურობას.
მაღალი სალის და ამიაკის მიმართ მოწინააღმდეგეობა.
სერტიფიცირებული შესაძლებლობა გადაიტაცოს: 5400 Pa წინა მხარეს მაქსიმალური სტატიკური ტესტის ტვირთი 2400 Pa უკანა მხარეს მაქსიმალური სტატიკური ტესტის ტვირთი.
უკეთ სინათლის დაჭერა და მიმდინარეობის შეკრება მოდულის გარჩევის გასაუმჯობესებლად და დამყარების გასაუმჯობესებლად.
PID ფენომენების მიერ გამოწვეული დეგრადაციის შანსის შემცირება ცელის წარმოების ტექნოლოგიის და მასალების კონტროლის უკეთესი რეგულირებით.
მექანიკური მახასიათებლები
არსებულობის კონფიგურაცია
სპეციფიკაციები (STC)
გამოყენების პირობები
ინჟინერინგის დიაგრამები
*შენიშვნა: კონკრეტული ზომებისა და ტოლერანტული დიაპაზონებისთვის გთხოვთ დაუყენეთ შესაბამისი დეტალური მოდულის დიაგრამები.
ელექტროტექნიკური პერფორმანსი
რა არის TOPCon ტექნოლოგია?
TOPCon ტექნოლოგია (Tunnel Oxide Passivated Contact) არის დამატებითი ფოტოვოლტაიკური ცელის ტექნოლოგია, რომელიც გამოიყენება სოლარული ცელების ეფექტურობის გასაუმჯობესებლად სინათლის ელექტროენერგიაში გარდაქმნის პროცესში. TOPCon ტექნოლოგიის ესენცია არის ტუნელური ოქსიდის და დოპირებული პოლისილიკონის შრიფტის შესაქმნელად ცელის უკანა მხარეზე, რაც ქმნის პასივიზირებულ კონტაქტურ სტრუქტურას. ეს სტრუქტურა შემცირებს ზედაპირის რეკომბინაციას და მეტალურ კონტაქტებს, რითაც გაუმჯობესებს ცელის პერფორმანსას.
ტუნელური ოქსიდის შრიფტი: უკანა მხარეზე ცელზე შექმნილი უკანასკნელი ტუნელური ოქსიდის შრიფტი. ეს შრიფტი ასეთი ზედიზედ არის, რომ ელექტრონები შეიძლება ტუნელის შემდეგ გადაიტაცონ, მაგრამ საკმარისია ზედაპირის რეკომბინაციის დაკარგვის შემცირებას.
დოპირებული პოლისილიკონის შრიფტი: ტუნელური ოქსიდის შრიფტზე დაწყობილი დოპირებული პოლისილიკონის შრიფტი. ეს შრიფტი შეიძლება იყოს N-ტიპის ან P-ტიპის დოპირებული და გამოიყენება ტარის შეკრებისთვის.
პასივიზირებული კონტაქტი: ტუნელური ოქსიდის შრიფტის და დოპირებული პოლისილიკონის შრიფტის შესაქმნელი პასივიზირებული კონტაქტური სტრუქტურა შემცირებს ზედაპირის რეკომბინაციას და მეტალურ კონტაქტებს, რითაც ზრდის ცელის ღია წრედის და მოკლე წრედის ქვედა დენს.
