| Mærke | Wone |
| Modelnummer | 580-605 Watt ensidet module med Tunnel Oxide Passivering Kontakter (TOPcon) teknologi |
| Maksimal effekt | 600Wp |
| Serier | 72HL4-(V) |
Certifikation
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Kvalitetsledelsessystem ·
ISO14001:2015: Miljøledelsessystem ·
ISO45001:2018: Arbejdsmiljøledelsessystem.
Egenskaber
N-type moduler med Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) teknologi tilbyder lavere LID/LeTID nedbrydning og bedre ydeevne i svagt lys.
N-type moduler med JinkoSolar's HOT 3.0 teknologi tilbyder bedre pålidelighed og effektivitet.
Høj saltånd og ammoniakbestandhed.
Certificeret til at tåle: 5400 Pa forside maksimal statisk testbelastning 2400 Pa bagside maksimal statisk testbelastning.
Bedre lysfangst og strømindsamling for at forbedre moduleffekten og pålideligheden.
Minimerer risikoen for nedbrydning som følge af PID-fænomener gennem optimering af celleproduktionsteknologi og materialekontrol.
Mekaniske egenskaber
Emballagekonfiguration
Specifikationer (STC)
Anvendelsesbetingelser
Ingeniørtegninger
*Bemærk: For specifikke dimensioner og tolerancemargener, se de tilsvarende detaljerede modultegninger.
Elektrisk ydeevne
Hvad er TOPCon-teknologi?
TOPCon-teknologi (Tunnel Oxide Passivated Contact) er en avanceret fotovoltaisk cellteknologi, der bruges til at forbedre effektiviteten af solceller i at konvertere sollys til elektricitet. Essensen af TOPCon-teknologi er indførelsen af en tunneloxide-lag og et dopet polycrystallinsk silicium-lag på bagsiden af cellen, hvilket danner en passiveret kontaktstruktur. Denne struktur reducerer overfladerecombination og metalkontaktrecombination, hvilket forbedrer cellens ydeevne.
Tunneloxide-lag: Et ultra-tyndt tunneloxide-lag produceres på bagsiden af cellen. Dette lag er tyndt nok til at tillade elektroner at tunge igennem, men tykt nok til at reducere overfladerecombinationstab.
Dopet polycrystallinsk silicium-lag: Et lag af dopet polycrystallinsk silicium deponeres oven på tunneloxide-laget. Dette lag kan være enten N-type eller P-type dopet og bruges til at samle ladningsbærere.
Passiveret kontakt: Den passiverede kontaktstruktur, dannet af tunneloxide-laget og det dopede polycrystallinske silicium-lag, reducerer effektivt overfladerecombination og metalkontaktrecombination, hvilket øger cellens åben-kredsløbs spænding og kortslutningsstrøm.
