| Marka | Wone |
| Model Zenbakia | 580-605 Watt ermonoko modulua Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) teknologiarekin |
| Indar gehienezko potency | 595Wp |
| Serie | 72HL4-(V) |
Zertifikazioa
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Kalitate-sistema ·
ISO14001:2015: Ingurumen-sistema ·
ISO45001:2018: Langileentzako osasuntsuaketa eta segurtasun sistemak.
Ezaugarriak
Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) teknologiarekin N motako moduluak LID/LeTID degradazio txikiagoa eta argi gutxiagoko prestazio hobea eskaintzen dute.
JinkoSolarren HOT 3.0 teknologiarekin N motako moduluak fidagarritasun eta efizientzia hobea eskaintzen dute.
Ugari-salortasuna eta amoniako erresistentzia altua.
Zertifikatua: 5400 Pa aurreko aldeko maximo estatikotesteko karga 2400 Pa atzeroko aldeko maximo estatikotesteko karga.
Argi-trapping eta korronte-kolektore hobea moduluaren indarraren emaitza eta fidagarritasuna hobetzeko.
PID fenomenoen eraginezko degradazio arriskua zelula-produktion teknologia eta material kontrolaren optimizazioaren bidez minimitzen du.
Mekaniko Ezaugarriak
Paketamendu Konfigurazioa
Especificazioak (STC)
Aplikazio Balioak
Ingeniaritza Marrazkiak
*Oharra: Zehaztasun dimentsio eta tolerantzi tarteen begiratzeko, jarraitu modulu marrazki detaliatuak.
Elektrikoa Prestazioa
Zer da TOPCon teknologia?
TOPCon teknologia (Tunnel Oxide Passivated Contact) argi-zelulen efizientzia handitzeko erabiltzen den teknologia aurreratua da. TOPCon teknologian, zelula-ren goiko aldean tunel-bihurgailu oxide layer bat eta doped polysilicon layer bat sartzen dira, hau da, passivated contact egitura sortzen da. Egitura honek gainazal baterako rekonbinazioa eta metal kontaktu-rekonbinazioa murriztu eta zelula-ren prestazioa hobetu egiten ditu.
Tunnel Bihurgailu Oxide Layer: Zelula-ren goiko aldean ulertzeko bihurgailu oxide layer bat osatzen da. Layer hau askoz oso pixka bat izan behar da elektronak tunelatzeko ahalmena badute, baina askoz oso oso pixka bat izan behar da gainazal baterako rekonbinazio galera murrizteko.
Doped Polysilicon Layer: Tunnel bihurgailu oxide layer-en gainean doped polysilicon layer bat jartzen da. Layer hau N-tipo edo P-tipo doped izan daiteke eta charge carriers kolektatzeko erabiltzen da.
Passivated Contact: Tunnel bihurgailu oxide layer eta doped polysilicon layer-ren artean sortutako passivated contact egitura gainazal baterako rekonbinazioa eta metal kontaktu-rekonbinazioa murrizten ditu, horrela zelula-ren open-circuit voltage eta short-circuit current handitu egiten ditu.
