| Jenama | Wone |
| Nombor Model | Modul mono-facial 580-605 Watt dengan teknologi Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) |
| Kuasa maksimum | 590Wp |
| Siri | 72HL4-(V) |
Pengesahan
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Sistem Pengurusan Kualiti ·
ISO14001:2015: Sistem Pengurusan Alam Sekitar ·
ISO45001:2018: Sistem pengurusan keselamatan dan kesihatan pekerjaan.
Ciri-ciri
Modul jenis N dengan teknologi Hubungan Penapisan Terowong Oksida (TOPcon) menawarkan penurunan LID/LeTID yang lebih rendah dan prestasi cahaya lemah yang lebih baik.
Modul jenis N dengan teknologi HOT 3.0 JinkoSolar menawarkan kebolehpercayaan dan kecekapan yang lebih baik.
Ketahanan terhadap kabut garam dan amonia yang tinggi.
Disahkan untuk menanggung: beban ujian statik maksimum sisi hadapan 5400 Pa, beban ujian statik maksimum sisi belakang 2400 Pa.
Penangkapan cahaya dan pengumpulan arus yang lebih baik untuk meningkatkan output kuasa modul dan kebolehpercayaan.
Mengurangkan peluang penurunan disebabkan oleh fenomena PID melalui pengoptimuman teknologi penghasilan sel dan kawalan bahan.
Ciri-ciri Mekanikal
Konfigurasi Pakej
Spesifikasi (STC)
Keadaan Penggunaan
Gambaran Reka Bentuk Kejuruteraan
*Nota: Untuk dimensi spesifik dan julat toleransi, sila rujuk kepada gambaran modul yang berkaitan.
Prestasi Elektrik
Apa itu teknologi TOPCon?
Teknologi TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) adalah teknologi sel fotovoltaik canggih yang digunakan untuk meningkatkan kecekapan sel solar dalam menukar cahaya matahari menjadi elektrik. Esensi teknologi TOPCon adalah pengenalan lapisan oksida terowong dan lapisan polisilikon berdop pada sisi belakang sel, yang membentuk struktur hubungan penapisan. Struktur ini mengurangkan rekomposisi permukaan dan rekomposisi hubungan logam, seterusnya meningkatkan prestasi sel.
Lapisan Oksida Terowong: Lapisan oksida terowong yang sangat nipis dibuat pada sisi belakang sel. Lapisan ini cukup nipis untuk membolehkan elektron menembusi tetapi cukup tebal untuk mengurangkan kerugian rekomposisi permukaan.
Lapisan Polisilikon Berdop: Lapisan polisilikon berdop diletakkan di atas lapisan oksida terowong. Lapisan ini boleh berdop N atau P dan digunakan untuk mengumpul pembawa cas.
Hubungan Penapisan: Struktur hubungan penapisan, yang dibentuk oleh lapisan oksida terowong dan lapisan polisilikon berdop, secara efektif mengurangkan rekomposisi permukaan dan rekomposisi hubungan logam, seterusnya meningkatkan voltan sirkuit terbuka dan arus sirkuit pendek sel.
