| Marka | Wone |
| Numer modelu | Moduł jednostronny o mocy 580-605 Watt z technologią Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) |
| Maksymalna moc | 585Wp |
| Serie | 72HL4-(V) |
Certyfikaty
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: System zarządzania jakością ·
ISO14001:2015: System zarządzania środowiskiem ·
ISO45001:2018: Systemy zarządzania bezpieczeństwem i higieną pracy.
Funkcje
Moduły typu N z technologią Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) oferują niższe degradację LID/LeTID i lepszą wydajność przy słabym oświetleniu.
Moduły typu N z technologią HOT 3.0 firmy JinkoSolar zapewniają lepszą niezawodność i wydajność.
Wysoka odporność na solankę i amoniak.
Certyfikowane do wytrzymywania: 5400 Pa maksymalne statyczne obciążenie od strony przedniej 2400 Pa maksymalne statyczne obciążenie od strony tylnej.
Lepsze przechwytywanie światła i zbieranie prądu, aby poprawić moc modułu i niezawodność.
Minimalizuje szanse na degradację spowodowaną zjawiskiem PID poprzez optymalizację technologii produkcji komórek i kontroli materiałów.
Właściwości mechaniczne
Konfiguracja opakowania
Specyfikacje (STC)
Warunki zastosowania
Rysunki inżynierskie
*Uwaga: Dla konkretnych wymiarów i zakresów tolerancji prosimy odsyłamy do odpowiednich szczegółowych rysunków modułów.
Wydajność elektryczna
Czym jest technologia TOPCon?
Technologia TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) to zaawansowana technologia fotowoltaiczna wykorzystywana do zwiększenia efektywności komórek słonecznych w przetwarzaniu światła słonecznego na energię elektryczną. Istota technologii TOPCon polega na wprowadzeniu warstwy tunelowej tlenku i warstwy polisilikonu domieszkowanego na stronie tyłowej komórki, co tworzy strukturę kontaktu pasywnego. Ta struktura zmniejsza rekombinację powierzchniową i rekombinację kontaktu metalowego, co prowadzi do poprawy wydajności komórki.
Warstwa tunelowa tlenku: Na stronie tyłowej komórki tworzona jest ultra-cienka warstwa tunelowa tlenku. Warstwa ta jest wystarczająco cienka, aby umożliwić tunelowanie elektronów, ale jednocześnie wystarczająco gruba, aby zredukować straty przez rekombinację powierzchniową.
Warstwa polisilikonu domieszkowanego: Na warstwie tunelowej tlenku nanoszona jest warstwa polisilikonu domieszkowanego. Warstwa ta może być domieszkowana jako typ N lub P i służy do zbierania nośników ładunku.
Kontakt pasywny: Struktura kontaktu pasywnego, utworzona przez warstwę tunelową tlenku i warstwę polisilikonu domieszkowanego, skutecznie redukuje rekombinację powierzchniową i kontakt metalowy, co zwiększa napięcie otwartego obwodu i natężenie prądu krótkiego obwodu komórki.
