| Merk | Wone |
| Modelnummer | 580-605 Watt monoface module met Tunnel Oxide Passiverende Contacten (TOPcon) technologie |
| Maximale vermogen | 585Wp |
| Serie | 72HL4-(V) |
Certificering
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Kwaliteitsmanagementsysteem ·
ISO14001:2015: Milieumanagementsysteem ·
ISO45001:2018: Arbo-managementsysteem.
Kenmerken
N-type modules met Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) technologie bieden lagere LID/LeTID-degradatie en betere prestaties bij laag licht.
N-type modules met JinkoSolar's HOT 3.0 technologie bieden betere betrouwbaarheid en efficiëntie.
Hoge bestendigheid tegen zoutnevel en ammoniak.
Gecertificeerd om te weerstaan: 5400 Pa maximale statische belasting voorkant 2400 Pa maximale statische belasting achterkant.
Beter lichtvanger en stroomopbrengst om de modulekracht en betrouwbaarheid te verbeteren.
Minimaliseert de kans op degradatie veroorzaakt door PID-verschijnselen door optimalisatie van celproductietechnologie en materiaalcontrole.
Mechanische kenmerken
Verpakkingconfiguratie
Specificaties (STC)
Toepassingsvoorwaarden
Technische tekeningen
*Opmerking: Voor specifieke afmetingen en tolerantieranges, raadpleeg alstublieft de overeenkomstige gedetailleerde moduletekeningen.
Elektrische prestaties
Wat is TOPCon-technologie?
TOPCon-technologie (Tunnel Oxide Passivated Contact) is een geavanceerde fotovoltaïsche celtechnologie die wordt gebruikt om de efficiëntie van zonnecellen in het omzetten van zonlicht in elektriciteit te verhogen. De essentie van TOPCon-technologie is de introductie van een tunneloxide-laag en een gedopeerde polysiliconenlaag aan de achterkant van de cel, wat een gepasseerde contactstructuur vormt. Deze structuur vermindert oppervlakte-recombinatie en metaalcontact-recombinatie, waardoor de prestaties van de cel worden verbeterd.
Tunneloxide-laag: Een ultra-dunne tunneloxide-laag wordt op de achterkant van de cel gefabriceerd. Deze laag is dun genoeg om elektronen te laten tunnelen, maar dik genoeg om oppervlakte-recombinatieverliezen te verminderen.
Gedopeerde polysiliconenlaag: Een laag gedopeerde polysiliconen wordt boven op de tunneloxide-laag aangebracht. Deze laag kan N-type of P-type gedopeerd zijn en wordt gebruikt om ladingdragers te verzamelen.
Gepasseerd contact: De gepasseerde contactstructuur, gevormd door de tunneloxide-laag en de gedopeerde polysiliconenlaag, vermindert effectief oppervlakte-recombinatie en metaalcontact-recombinatie, waardoor de open-circuit spanning en kortsluitstroom van de cel worden verhoogd.
