| Merkki | Wone |
| Vörumerki | 580-605 vattdara einhliða rafbreytileiki með Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) teknologi |
| Stærð órvalda orka | 585Wp |
| Röð | 72HL4-(V) |
Vottorð
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Gæðastýringarkerfi ·
ISO14001:2015: Umhverfisstýringarkerfi ·
ISO45001:2018: Kerfi fyrir starfsskyldu og heilsu á vinnumarkaði.
Eiginleikar
N-týpa einingar með Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) teknöfl ofboða lægri LID/LeTID dreifingu og betri afköst í ljóðrektu.
N-týpa einingar með JinkoSolar's HOT 3.0 teknöflu bera betri treysti og hagnýtingu.
Hátt saltneðar og amóníakdýrð.
Vottuð til að standa: 5400 Pa framanmikið staðbundið prufutök 2400 Pa aftanmikið staðbundið prufutök.
Betri ljósfang og straumfang til að bæta afköstum og treysti einingarinnar.
Lækkar líkurnar á dreifingu vegna PID efni með því að optímísa framleiðsluteknöflu og stjórna efnum.
Mækið eiginleikar
Pakningarskipulag
Mælitölur (STC)
Notkunarskilyrði
Verkfræðiteikningar
*Athugið: Fyrir sérstök mælitölur og viðmiðunarbil, vinsamlegast skoðaðu samsvarandi detalgaðar teikningar einingarinnar.
Rafmagnsafköst
Hvað er TOPCon-teknöfl?
TOPCon-teknöfl (Tunnel Oxide Passivated Contact) er forritunaraðgrein sem notuð er til að bæta hagnýtingu sólarcella við að brota ljós yfir í rafmagn. Kynningarmiðpunktur TOPCon-teknöfl er að koma tunneling oxide lagi og doped polysilicon lagi á aftanmikið cellunnar, sem myndar passivated contact skipulag. Þetta skipulag minnkar surface recombination og metal contact recombination, sem bætir afköstum cellunnar.
Tunnel Oxide Lag: Þynnt tunneling oxide lag er búið til á aftanmikið cellunnar. Þetta lag er þynnt nóg til að leyfa elektrónum að túnnla gegnum en þykkt nóg til að minnka surface recombination losses.
Doped Polysilicon Lag: Lag af doped polysilicon er sett á ofan tunneling oxide lagsins. Þetta lag getur verið annaðhvort N-týpa eða P-týpa doped og er notað til að safna charge carriers.
Passivated Contact: Passivated contact skipulag, myndað af tunneling oxide lagsins og doped polysilicon lagsins, minnkar surface recombination og metal contact recombination, sem heldur aukar cellunnar open-circuit voltage og short-circuit current.
