| Značka | Wone |
| Číslo modelu | 580-605 Watt monofacetní modul s technologií Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) |
| Maximální výkon | 585Wp |
| Série | 72HL4-(V) |
Certifikace
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Systém řízení kvality ·
ISO14001:2015: Systém řízení životního prostředí ·
ISO45001:2018: Systém řízení bezpečnosti a ochrany zdraví při práci.
Vlastnosti
Moduly typu N s technologií Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) nabízí nižší degradaci LID/LeTID a lepší výkon při nízkém světle.
Moduly typu N s technologií JinkoSolar's HOT 3.0 nabízejí lepší spolehlivost a efektivitu.
Vysoká odolnost vůči solnému mlze a amoniaku.
Certifikovány pro odolnost: 5400 Pa maximální statické zatížení přední strany, 2400 Pa maximální statické zatížení zadní strany.
Lepší zachycování světla a sběr proudu pro zlepšení výkonu a spolehlivosti modulu.
Minimalizuje možnost degradace způsobené PID fenoménem díky optimalizaci technologie výroby článků a kontrole materiálů.
Mechanické vlastnosti
Balení
Specifikace (STC)
Podmínky použití
Inženýrské kresby
*Poznámka: Pro konkrétní rozměry a tolerance se prosím odkazujte na odpovídající podrobné kresby modulu.
Elektrické vlastnosti
Co je technologie TOPCon?
Technologie TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) je pokročilá technologie fotovoltaických článků používaná k zvýšení efektivity převodu slunečního světla na elektrickou energii. Podstatou technologie TOPCon je zavedení vrstvy tunelového oxidu a dotované vrstvy polysilikonu na zadní straně článku, což tvoří strukturu pasivovaného kontaktu. Tato struktura snižuje rekombinaci na povrchu a rekombinaci u kovových kontaktů, čímž se zlepšuje výkon článku.
Vrstva tunelového oxidu: Na zadní straně článku je vytvořena ultra tenká vrstva tunelového oxidu. Tato vrstva je dostatečně tenká, aby umožňovala elektronům tunelovat, ale dostatečně silná, aby snižovala ztráty na povrchové rekombinaci.
Dotovaná vrstva polysilikonu: Na vrstvu tunelového oxidu je nanesená vrstva dotovaného polysilikonu. Tato vrstva může být buď N-typu nebo P-typu a slouží k sběru nábojových nosičů.
Pasivovaný kontakt: Struktura pasivovaného kontaktu, tvořená vrstvou tunelového oxidu a dotovanou vrstvou polysilikonu, efektivně snižuje rekombinaci na povrchu a rekombinaci u kovových kontaktů, čímž se zvyšuje otevřený cirkuitový napětí a krátkozaměrný proud článku.
