| برنډ | Wone |
| د مودل نمبر | 580-605 واط مدول منو فاکیال د Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) تکنالوژي سره |
| زهور د قدرت لپاره | 580Wp |
| سلسله | 72HL4-(V) |
Сертификация
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Система управления качеством ·
ISO14001:2015: Система экологического менеджмента ·
ISO45001:2018: Система управления охраной труда и безопасностью.
Особенности
Модули N-типа с технологией TOPcon (Tunnel Oxide Passivating Contacts) обеспечивают меньшее вырождение LID/LeTID и лучшую производительность при низком освещении.
Модули N-типа с технологией HOT 3.0 от JinkoSolar обеспечивают лучшую надежность и эффективность.
Высокая устойчивость к солевому туману и аммиаку.
Сертифицированы для выдерживания: максимальная статическая нагрузка на переднюю сторону 5400 Па, максимальная статическая нагрузка на заднюю сторону 2400 Па.
Лучшая ловушка света и сбор тока для повышения выходной мощности и надежности модуля.
Минимизация вероятности вырождения, вызванного явлением PID, за счет оптимизации технологии производства ячеек и контроля материалов.
Механические характеристики
Конфигурация упаковки
Характеристики (STC)
Условия применения
Инженерные чертежи
*Примечание: Для получения конкретных размеров и допусков обратитесь к соответствующим подробным чертежам модулей.
Электрические характеристики
Что такое технология TOPCon?
Технология TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) — это продвинутая технология фотоэлектрических ячеек, используемая для повышения эффективности преобразования солнечного света в электричество. Суть технологии TOPCon заключается во введении туннельного оксидного слоя и легированного поликристаллического слоя на задней стороне ячейки, что формирует структуру пассивированных контактов. Эта структура снижает поверхностную рекомбинацию и рекомбинацию металлических контактов, тем самым улучшая производительность ячейки.
Туннельный оксидный слой: На задней стороне ячейки создается сверхтонкий туннельный оксидный слой. Этот слой достаточно тонкий, чтобы электроны могли проникать через него, но достаточно толстый, чтобы снизить потери от поверхностной рекомбинации.
Легированный поликристаллический слой: На туннельный оксидный слой наносится слой легированного поликристаллического кремния. Этот слой может быть либо N-типа, либо P-типа и используется для сбора зарядовых носителей.
Пассивированный контакт: Структура пассивированных контактов, образованная туннельным оксидным слоем и легированным поликристаллическим слоем, эффективно снижает поверхностную рекомбинацию и рекомбинацию металлических контактов, увеличивая напряжение холостого хода и короткозамкнутый ток ячейки.
