| Marke | Wone |
| Numru tal-Model | Modul monofaċjal ta' 580-605 Watt bl-teknoloġija Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) |
| il-massim potenza | 580Wp |
| Siri | 72HL4-(V) |
Ċertifikazzjoni
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Sistemu ta' Gestjoni tal-Kwalità ·
ISO14001:2015: Sistemu ta' Gestjoni tal-Ambjent ·
ISO45001:2018: Sistemi ta' gestjoni tas-saħħa u s-sigurtà fl-ambjent tax-xogħol.
Karatteristiċi
Moduli ta' tip N bl-teknoloġija Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) joffru degradazzjoni LID/LeTID inqas u performanż mill-ġdid fil-ħal mhux qasir ta' dawl.
Moduli ta' tip N bl-teknoloġija HOT 3.0 ta' JinkoSolar joffru affidabilità u effiċjenza aħjar.
Resistanza għal ħalib tal-melħ u l-anmonjaka magħsula.
Certifikati biex isibbuhu: 5400 Pa test statiku massimu tal-parti frontali 2400 Pa test statiku massimu tal-parti rikarda.
Trappament tal-dawl aħjar u kollezzjoni tal-korrent biex jiżbeddu l-output tal-modulu u t-affidabilità tiegħu.
Minimizza l-probabbiltà ta' degradazzjoni minn fenomeni PID permezz ta' ottimizzazzjoni tal-teknoloġija ta' produzzjoni tal-cell u kontrol tal-materiali.
Karatteristiċi Meċkanika
Konfigurazzjoni tal-Pakkaġġ
Speċifikazzjonijiet (STC)
Kondizzjonijiet tal-Aplikazzjoni
Disegni Inġinieristici
*Nota: Għal id-dimensjonijiet speċifiċi u rangojiet tal-tolleranza, jekk jogħġbok referixxi lill-disegni modulaj dettagljati korrispondenti.
Performanż Elettriku
X'hi teknoloġija TOPCon?
Teknoloġija TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) hi teknoloġija avvanzata ta' cella fotovoltaika uża biex jżid l-effiċjenza tal-cell tal-ħaxxor solari f'dak li jagħmel il-ħaxxor fil-lanġas. L-essenza tal-teknoloġija TOPCon hi l-introduzzjoni ta' stratum ta' ossido tunneling u stratum ta' polisilicon dopat fit-parti rikarda tal-cell, li jformaw struttura ta' kontatt passivat. Din is-silġittura tinqasam il-rekombinazzjoni tal-superfiċi u rekombinazzjoni tal-kontatt metaliku, bil-fil twassla l-performanż tal-cell.
Stratum ta' Ossido Tunneling: Stratum ta' ossido tunneling ultra-xejn huwa fabrikat fit-parti rikarda tal-cell. Din is-stratum hija xejn b'ħafna biex toħroġ l-elettronijiet permezz tagħha, imma dik il-grubba biex tiqseg il-perditi minn rekombinazzjoni tal-superfiċi.
Stratum ta' Polisilicon Dopat: Stratum ta' polisilicon dopat huwa depozitawt fuq is-stratum ta' ossido tunneling. Din is-stratum tista' tkun dopat tip N jew P u tuża biex ikollektja l-karrieri ta' karriġa.
Kontatt Passivat: Is-silġittura ta' kontatt passivat, formata mill-stratum ta' ossido tunneling u stratum ta' polisilicon dopat, tinqasam effiċjentament il-rekombinazzjoni tal-superfiċi u rekombinazzjoni tal-kontatt metaliku, bil-fil twassla l-voltagg apertu ta' sirkujt u l-korrent ta' sirkujt qasir tal-cell.
