| Zīme | Wone |
| Modela numurs | 580-605 Vatiens monoficālais modulis ar tunelējuma oksīda pasivizācijas kontaktu (TOPcon) tehnoloģiju |
| Lielākā jauda | 580Wp |
| Sērija | 72HL4-(V) |
Sertifikācija
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Kvalitātes pārvaldības sistēma ·
ISO14001:2015: Vides pārvaldības sistēma ·
ISO45001:2018: Darba veselības un drošības pārvaldības sistēma.
Izvērtējumi
N-tipa moduļi ar Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) tehnoloģiju piedāvā zemāku LID/LeTID degradāciju un labāku veiktspēju mazākās gaismas apstākļos.
N-tipa moduļi ar JinkoSolar HOT 3.0 tehnoloģiju piedāvā labāku uzticamību un efektivitāti.
Augsta atkarība pret sāls un amonjaku iedarbību.
Sertificēts, lai izturētu: 5400 Pa priekšējā puses maksimālais statiskais testa slodze 2400 Pa aizmugurējā puses maksimālais statiskais testa slodze.
Labāka gaisma notveršana un strāvas savākšana, lai uzlabotu moduļa enerģijas ražošanu un uzticamību.
Minimizē PID paraduma izraisīto degradāciju, optimizējot elementu ražošanas tehnoloģiju un materiālu kontrolēšanu.
Mehāniskās īpašības
Pakotnes konfigurācija
Spēcprakse (STC)
Lietojuma apstākļi
Inženierzinātniskie zīmējumi
*Piezīme: Konkrētajiem izmēriem un tolerancēm, lūdzu, atsaucieties uz atbilstošajiem detaļgādāmajiem moduļu zīmējumiem.
Elektroenerģijas veiktspēja
Kas ir TOPCon tehnoloģija?
TOPCon tehnoloģija (Tunnel Oxide Passivated Contact) ir pašreizējā fotovoltaikas elementu tehnoloģija, kas tiek izmantota, lai uzlabotu saules elementu efektivitāti, pārvēršot gaismu elektrībā. TOPCon tehnoloģijas būtība ir tunelējošā oksīda slāņa un dopētā polisilīcija slāņa ieviešana elementa aizmugurē, kas veido passivēto kontaktu struktūru. Šī struktūra samazina virsmas rekombināciju un metāla kontaktu rekombināciju, tādējādi uzlabojot elementa veiktspēju.
Tunelējošais oksīda slānis: Aizmugurē elementa tiek izgatavots ļoti smailis tunelējošais oksīda slānis. Šis slānis ir pietiekami smails, lai elektronu varētu tunelēties cauri, bet pietiekami balts, lai samazinātu virsmas rekombinācijas zaudējumus.
Dopētais polisilīcija slānis: Uz tunelējošā oksīda slāņa tiek noplānots dopētais polisilīcija slānis. Šis slānis var būt gan N-tipa, gan P-tipa dopēts un tiek izmantots, lai savāktu lādiņu nosūtītājus.
Passivēts kontakts: Passivētā kontakta struktūra, kas veidota no tunelējošā oksīda slāņa un dopētā polisilīcija slāņa, efektīvi samazina virsmas rekombināciju un metāla kontaktu rekombināciju, tādējādi palielinot elementa atvērto kārtu spriegumu un īsāko kārtu strāvu.
