| Marque | Wone |
| Numéro de modèle | Module monofacial de 580-605 watts avec technologie Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) |
| puissance maximale | 580Wp |
| Série | 72HL4-(V) |
Certification
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Système de gestion de la qualité ·
ISO14001:2015: Système de gestion environnementale ·
ISO45001:2018: Systèmes de management de la santé et de la sécurité au travail.
Caractéristiques
Les modules de type N avec la technologie Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) offrent une dégradation LID/LeTID moindre et une meilleure performance en faible luminosité.
Les modules de type N avec la technologie HOT 3.0 de JinkoSolar offrent une meilleure fiabilité et efficacité.
Haute résistance à la brume salée et à l'ammoniac.
Certifiés pour résister : 5400 Pa de charge statique maximale sur le côté avant, 2400 Pa de charge statique maximale sur le côté arrière.
Meilleure capture de lumière et collecte de courant pour améliorer la puissance et la fiabilité du module.
Minimise les risques de dégradation causés par les phénomènes PID grâce à l'optimisation de la technologie de production des cellules et au contrôle des matériaux.
Caractéristiques mécaniques
Configuration d'emballage
Spécifications (STC)
Conditions d'application
Dessins d'ingénierie
*Note : Pour les dimensions spécifiques et les tolérances, veuillez vous référer aux dessins de module détaillés correspondants.
Performance électrique
Qu'est-ce que la technologie TOPCon ?
La technologie TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) est une technologie avancée de cellules photovoltaïques utilisée pour améliorer l'efficacité des cellules solaires dans la conversion de la lumière en électricité. L'essence de la technologie TOPCon est l'introduction d'une couche d'oxyde de tunnel et d'une couche de polycristal dopé sur le côté arrière de la cellule, ce qui forme une structure de contact passivé. Cette structure réduit la recombinaison de surface et la recombinaison de contact métallique, améliorant ainsi les performances de la cellule.
Couche d'oxyde de tunnel : Une couche d'oxyde de tunnel ultrafine est fabriquée sur le côté arrière de la cellule. Cette couche est suffisamment fine pour permettre aux électrons de traverser mais suffisamment épaisse pour réduire les pertes de recombinaison de surface.
Couche de polycristal dopé : Une couche de polycristal dopé est déposée sur la couche d'oxyde de tunnel. Cette couche peut être soit de type N, soit de type P et est utilisée pour collecter les porteurs de charge.
Contact passivé : La structure de contact passivé, formée par la couche d'oxyde de tunnel et la couche de polycristal dopé, réduit efficacement la recombinaison de surface et la recombinaison de contact métallique, augmentant ainsi la tension ouverte et le courant court-circuit de la cellule.
