| Handelmerk | Wone |
| Modelnommer | 580-605 Watt enkelvlak module met Tunnel Okside Passerende Kontakte (TOPcon) tegnologie |
| Maksimum krag | 580Wp |
| Reeks | 72HL4-(V) |
Sertifisering
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Kwaliteitsbestuurselstelsel ·
ISO14001:2015: Omgewingsbestuurselstelsel ·
ISO45001:2018: Bestuurselstelsel vir bedryfsveiligheid en -gesondheid.
Eienskappe
N-tipe module met Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) tegnologie bied laer LID/LeTID degradasie en beter lae ligpresteinge.
N-tipe module met JinkoSolar se HOT 3.0 tegnologie bied beter betroubaarheid en doeltreffendheid.
Hoë bestandheid teen soutmist en amoniac.
Gesertifiseer om te weerstaan: 5400 Pa voorste kant maksimale statiese toetslast, 2400 Pa agterste kant maksimale statiese toetslast.
Beter ligval en stroomversameling om die module se vermogenuitlevering en betroubaarheid te verbeter.
Minimeer die kans op degradasie veroorsaak deur PID-verskynsels deur optimalisering van selleproduksietegnologie en materiaalbeheer.
Meganiese eienskappe
Verpakkingkonfigurasie
Spesifikasies (STC)
Toepassingsvoorwaardes
Ingenieursontwerpe
*Nota: Vir spesifieke afmetings en toleransierange, verwys asseblief na die ooreenstemmende gedetailleerde moduletekeninge.
Elektriese prestasie
Wat is TOPCon-tegnologie?
TOPCon-tegnologie (Tunnel Oxide Passivated Contact) is 'n gevorderde fotovoltaiese selle-tegnologie wat gebruik word om die doeltreffendheid van sonsele in die omskakeling van sonlig na elektrisiteit te verhoog. Die essensie van TOPCon-tegnologie is die invoer van 'n tunneloxide-laag en 'n gedopeerde polisilisium-laag aan die agterkant van die sel, wat 'n gepasseerde kontakstruktuur vorm. Hierdie struktuur verminder oppervlaktehergroepering en metaalkontakhergroepering, en verbeter dus die prestasie van die sel.
Tunneloxide-laag: 'n Uiterst dunne tunneloxide-laag word op die agterkant van die sel vervaardig. Hierdie laag is dun genoeg om elektrone daardeur te laat tunnel, maar dik genoeg om oppervlaktehergroeperingsverliese te verminder.
Gedopeerde polisilisium-laag: 'n Laag gedopeerde polisilisium word bo-op die tunneloxide-laag aangebring. Hierdie laag kan óf N-tipe of P-tipe gedopeerd wees en word gebruik om ladingdragere te versamel.
Gepasseerde kontak: Die gepasseerde kontakstruktuur, gevorm deur die tunneloxide-laag en die gedopeerde polisilisium-laag, verminder effektief oppervlaktehergroepering en metaalkontakhergroepering, en verhoog dus die open-sirkuitvoltage en kortsluitsirkuitstroom van die sel.
