ट्रान्सफोर्मरमा दूरीको बीच दुई विंडिङहरू प्रयोग गर्ने कारण केहि हो?

ट्रान्सफोर्मर डिजाइनमा, सामान्यतया विस्तृत रूपमा प्रसारित वाइंडिङहरू (यानी, मुख्य र द्वितीयक वाइंडिङहरूबीच ठूलो शारीरिक दूरी) प्रयोग गर्न उचित छैन। यहाँ विस्तृत रूपमा प्रसारित वाइंडिङहरू बाट बच्ने प्रमुख कारणहरू छन्:

1. घटिएको चुम्बकीय कप्लिङ दक्षता

चुम्बकीय कप्लिङ: ट्रान्सफोर्मरहरू वैद्युत चुम्बकीय प्रेरणको सिद्धान्तमा काम गर्छन्, जहाँ मुख्य वाइंडिङमा वैकल्पिक विद्युत धारा वैकल्पिक चुम्बकीय क्षेत्र उत्पन्न गर्छ, जसले द्वितीयक वाइंडिङमा वोल्टेज प्रेरित गर्छ। यदि मुख्य र द्वितीयक वाइंडिङहरूको बीच दूरी ठूलो हुन्छ भने, चुम्बकीय क्षेत्रको शक्ति ठूलो मात्रामा कम हुनेछ, जसले चुम्बकीय कप्लिङ दक्षतामा कमी आउँछ।

लीकेज फ्लक्स: विस्तृत रूपमा प्रसारित वाइंडिङहरू अधिक लीकेज फ्लक्स उत्पन्न गर्छन्, जो चुम्बकीय क्षेत्रको भाग द्वितीयक वाइंडिङसँग बढी दक्षता सँग कप्लिङ गर्न असफल रहेको छ र बाहिरी वातावरणमा विसरिन्छ, जसले ट्रान्सफोर्मरको दक्षतामा कमी ल्याउँछ।

2. बढी गरिएको पारजीवी क्षमता

पारजीवी क्षमता: जब वाइंडिङहरूको बीचको दूरी बढ्छ, त्यसपछि वाइंडिङहरूको बीचको पारजीवी क्षमता पनि बढ्छ। पारजीवी क्षमता उच्च आवृत्तिमा अवाञ्छित विद्युत धारा रास्ता बनाउँछ, जसले ऊर्जा नष्ट र हस्तक्षेप उत्पन्न गर्छ।

आवृत्ति प्रतिक्रिया: पारजीवी क्षमता ट्रान्सफोर्मरको आवृत्ति प्रतिक्रियालाई प्रभावित गर्छ, विशेष गरी उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगमा, जहाँ बढी गरिएको पारजीवी क्षमता सिग्नल न्यूनीकरण र विकृतिका कारण बन्छ।

3. बढी गरिएको निर्माण कठिनता र खर्च

निर्माण कठिनता: विस्तृत रूपमा प्रसारित वाइंडिङहरू अधिक जटिल निर्माण प्रक्रियाहरूको आवश्यकता छ, जसले उत्पादन कठिनता र खर्च बढाउँछ।

सामग्री प्रयोग: विस्तृत रूपमा प्रसारित वाइंडिङहरू अधिक अवरोधक सामग्री र समर्थन संरचनाको आवश्यकता छ, जसले सामग्री खर्च र वजन बढाउँछ।

4. बढी गरिएको आकार र वजन

आकार र वजन: विस्तृत रूपमा प्रसारित वाइंडिङहरू ट्रान्सफोर्मरको कुल आकार र वजन बढाउँछ, जसले छोटो र हल्को डिजाइनको लागि अनुपयुक्त बनाउँछ।

स्थापना स्थान: ठूलो आकार र वजन सघन उपकरणहरूमा ट्रान्सफोर्मरको स्थापना स्थान सीमित गर्छ।

5. तापीय प्रबन्धन समस्याहरू

तापीय प्रबन्धन: विस्तृत रूपमा प्रसारित वाइंडिङहरू असमान ताप वितरण उत्पन्न गर्छ, जसले तापीय प्रबन्धनको कठिनता बढाउँछ। स्थानिय अतिताप ट्रान्सफोर्मरको प्रदर्शन र जीवनकालमा प्रभाव पार्छ।

कूलिङ: निकट रूपमा संकुचित वाइंडिङहरू ताप निकासी र अन्य कूलिङ तंत्रहरू द्वारा अधिक दक्षतापूर्वक कूल गर्न सजिलो छ।

6. विद्युत-चुम्बकीय हस्तक्षेप

विद्युत-चुम्बकीय हस्तक्षेप (EMI): विस्तृत रूपमा प्रसारित वाइंडिङहरू अधिक मजबूत विद्युत-चुम्बकीय हस्तक्षेप (EMI) उत्पन्न गर्छ, जसले नजिकका विद्युत उपकरणहरूको यथावत कामको प्रभाव दिन्छ।

शील्डिङ: EMI कम गर्न अतिरिक्त शील्डिङ उपाय आवश्यक हुन सक्छ, जसले खर्च र जटिलता बढाउँछ।

सारांश

ट्रान्सफोर्मर डिजाइनमा, विस्तृत रूपमा प्रसारित वाइंडिङहरू बाट बच्न चुम्बकीय कप्लिङ दक्षतामा सुधार, लीकेज फ्लक्स र पारजीवी क्षमतालाई घटाउन, निर्माण कठिनता र खर्चलाई कम गर्न, आकार र वजनलाई न्यूनीकरण, तापीय प्रबन्धनलाई सुधार, र विद्युत-चुम्बकीय हस्तक्षेपलाई कम गर्न आवश्यक छ। यी कारकहरू सामूहिक रूपमा ट्रान्सफोर्मरको दक्षता, विश्वसनीयता, र खर्च दक्षतालाई सुनिश्चित गर्छ।