چی دەبێت کەپاسیتۆری MOS بێت؟
پێناسەی کەپاسیتۆری MOS
MOS پێنجەی Metal Oxide Semiconductor. کەپاسیتۆری MOS دەکاتە بەشێک لە سەمیکۆندار، ئینسولەنتێک و دریڤەی مێتال. بە شێوەیەکی ناوەندی، دریڤەکە لە n+ poly-silicon (سەمیکۆنداری تێکەڵدا) دروست دەکرێت کە کاریگەری هەمان مێتال دەکات. سیلیکون دایۆکساید (SiO2) بە شێوەی مادەی ئینسولەنت بەکاردێت لە نێوان پلاتەکانی کەپاسیتۆر، کە لەوێ مێتال و سەمیکۆندار کاریگەری دوو پلاتە دەکەن.
کەپاسیتەنسی کەپاسیتۆری MOS دەگۆڕێت بە پێی فولتەجەکەی بەکاردێتەوە لە دریڤەی Gate-ەکە، کە لە کاتی بەکاردێتەوە بە شێوەیەکی ناوەندی بەردەوام دەبێت.
فولتەجەی Flat Band یەکێکە لە ئەمانەی کە پێکەوەی کەپاسیتۆری MOS. ئەم فولتەجەیە پێناسە دەکرێت بە فولتەجەیەک کە لەو کاتەدا هیچ بارەیەک نییە لەسەر پلاتەکانی کەپاسیتۆر و پێنجەیەکی ئەلکتریکی ئاستیک نییە لە نێوان ئۆکساید. ئەگەر فولتەجەی Gate-ەکە بەرزتر بێت لە فولتەجەی Flat Band (Vgb > Vfb) ئەوا بارەیەکی باش لە دریڤەی مێتال (poly silicon) و بارەیەکی نەخۆش لە سەمیکۆندار دەکرێت. تەنها بارەیەکی نەخۆش کە هەمان ئەلکترونەکانن کە بەشێوەی بارەی نەخۆش پاش دەکەن و لە سەرەوە جێبەجێ دەکەن. ئەمە پێی دەوترێت Surface Accumulation.

ئەگەر فولتەجەی Gate-ەکە کەمتر بێت لە فولتەجەی Flat Band (Vgb < Vfb) ئەوا بارەیەکی نەخۆش لە نێوان دریڤەی poly-silicon و ئۆکساید و بارەیەکی باش لە سەمیکۆندار دەکرێت.
ئەمە تەنها ڕوودەدات بە دەورکردنی ئەلکترونەکانی بارەی نەخۆش لە سەرەوە و دەرکردنی بارەیەکی باش لە ناوەوە. ئەمە پێی دەوترێت Surface Depletion.
هەرچەند کەپاسیتۆری MOS بهتنهایە خۆی زۆر بەکارد ناکەن، بەڵام ڕێکەوتییە لە MOS ترانزیستۆرەکان، کە ئەمانە هەروەها زۆرترین سەمیکۆندارەکانی بەکاردێت.

کاریگەرییەکانی کەپاسیتەنس-فولتەجەی کەپاسیتۆری MOS لەگەڵ سەمیکۆنداری n-type دیاریکراوە لەخوارەوە،
ناوگرافی Capacitance vs. Gate Voltage (CV) لە کەپاسیتۆری MOS. فولتەجەی Flatband (Vfb) ناوچەی Accumulation دەکاتەوە لە ناوچەی Depletion. فولتەجەی Threshold (Vth) ناوچەی Depletion دەکاتەوە لە ناوچەی Inversion.