MOS конденсаторы неңізі қандай?
МОС конденсатор деген не?
МОС конденсаторы түсіндіріледі
МОС - бұл металл оксидті полупроводник. МОС конденсаторының құрамында полупроводниковый корпус немесе субстрат, диэлектрик және металл шайқасы бар. Көбінесе, шайқас поли-кремнийдің тығыз заттауынан жасалған, ол металл сынақтарымен қызмет етеді. Диэлектрик материал ретінде кремний диоксиді (SiO2) қолданылады, ол конденсатор платтары арасында орналасқан, металл және полупроводник слоқтары платтар ретінде қызмет етеді.
МОС конденсаторының электреттігі оның шайқас терминалына қолданылатын напрямению бойынша өзгереді, бұл қолданылу кезінде дене көбінесе земляға қосылады.
Табиғатты жолмен қалыптасқан напрямени - МОС конденсаторына қатысты маңызды термин. Ол конденсатор платтарында заряд жоқ болған және демидің артында статикалық электр талауы жоқ болған напрямени ретінде анықталады. Шайқастың қолданылатын оң напрямени (Vgb > Vfb) табиғатты жолмен қалыптасқан напряменінен үлкен болса, онда металл (поли-кремний) шайқасында оң заряд, ал полупроводникте теріс заряд пайда болады. Еңгізілетін зарыл электрондар тек теріс заряд ретінде қолданылады және олар бетте накопленияланады. Бұл бетте накоплениялану деп аталады.
Егер қолданылатын шайқас напрямени табиғатты жолмен қалыптасқан напряменінен төмен болса (Vgb < Vfb), онда поли-кремний шайқасы мен демидің арасында теріс заряд, ал полупроводникте оң заряд пайда болады.
Бұл тек беттен теріс зарядын алып тастап, доночылардың белгілі оң зарядтарын көрсету арқылы ғана мүмкін. Бұл бетте дефицит деп аталады.
МОС конденсаторы өзінің өзін қолданылмауына қарамастан, ол МОС транзисторларының ішкі бөлігі болып табылады, олар ең кең тараған полупроводник құрылғылары.
n-тиіптелген денеді қолданатын МОС конденсаторының типтік электреттік-напрямени қасиеттері төмендегідей берілген,
МОС конденсаторының электреттігі-напрямени (CV) диаграммасы. Табиғатты жолмен қалыптасқан напрямени (Vfb) накоплениялау аймагын дефицит аймагынан бөледі. Эштік напрямени (Vth) дефицит аймагын инверсия аймагынан бөледі.
